[發明專利]一種固晶方法

無效

• 申請號: 201110206548.8
• 申請日: 2011-07-22
• 公開（公告）號: CN102332507A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 李金明
• 申請（專利權）人: 東莞市萬豐納米材料有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術，尤其涉及一種固晶方法。

背景技術

LED燈具有壽命長、省電力的特點，越來越廣泛地應用于照明領域。

現有技術中，LED芯片往往通過銀膠與基板連接，然后封膠；也有的通過Sn焊接，銀的用量太少，導熱性能不好；銀的用量太大，牢固度不好；很難兼顧導熱性和牢固度。

也有人采用Au/Sn共晶材料焊接芯片，如中國專利文獻CN101691910A于2010年4月7日公開的LED封裝模塊的制備方法，用于權利要求1或權利要求3所述的LED封裝模塊的制作，該方法包括固晶工序，其特征在于，該固晶工序包括以下步驟：（1）設置熱沉層，（2）放置LED芯片，（3）焊接，（4）冷卻，其中，第（1）步所述的設置熱沉層采用真空濺射的方式；第（2）步所述的放置LED芯片是將LED芯片置于熱沉層上；第（3）步所述的焊接，是指將第（2）步制成的半成品過焊接爐，焊接爐的溫度為250°C-300°C；第（4）步所述的冷卻是指常溫風冷卻。前述專利文獻在結構上解決了現有技術的缺陷，但其制備過程復雜，成本高。

發明內容

本發明的目的在于克服上述現有技術的不足之處而提供一種過程簡潔的固晶方法。

本發明的目的可以通過以下技術方案實現：

一種固晶方法，適用于LED光源模塊封裝，其特征在于包括以下步驟：S1，提供基板、提供LED晶片；S2，提供散置的片狀的AuSn焊料；S3，提供吸盤，并通過吸盤吸起AuSn焊料；S4，將AuSn焊料放置于基板；S5，預熱，即將放置好AuSn焊料的基板加熱；S6，置晶，即在AuSn焊料上放置LED晶片；S7，焊接；S8，冷卻；其中，S5步驟所述的預熱，溫度為90℃至265℃；S7步子所述的焊接為超聲波熔接。

固晶方法，其特征在于：S1步驟所述的提供基板可以在S4步驟前的任何步驟完成，S1步驟所述的提供LED晶片可以在S6步前的任何步驟完成。

固晶方法，其特征在于：以熱風回流焊接代替S7步驟所述的超聲波熔接，并且焊接溫度為305℃至335℃，氮氣保護。

固晶方法，其特征在于：所述吸盤包括一腔體，還包括與腔體連通的吸嘴，所述腔體還連通一真空發生裝置，該吸盤還包括一退料部件。

固晶方法，其特征在于：所述吸嘴包括一內沉的凹坑，吸氣口位于凹坑的底面，所述退料部件是設置于凹坑的底面的環形彈性墊，所述吸氣口位于環形彈性墊的中心區域。

固晶方法，其特征在于：所述吸嘴包括一內沉的凹坑，吸氣口位于凹坑的底面，所述退料部件是一頂針，所述吸盤處于置料狀態時，所述頂針從吸氣口伸出，所述吸盤處于吸料狀態時，所述頂針縮回。

固晶方法，其特征在于：所述頂針固定連接于一針板，通過移動針板實現頂針插入和縮回吸氣口。

固晶方法，其特征在于：還包括設置于S3步驟與S4步驟之間的S3.5檢驗步驟，即通過對所述腔體內真空度的檢測，判斷吸嘴吸料是否正常，如正常轉S4步驟；如異常則轉S99步驟，S99，振動吸料，后轉S3.5步驟；所述振動吸料，是指吸料盤通過一振動機構，在不斷振動的狀態下再次吸料。

固晶方法，其特征在于：焊接溫度為325℃至330℃。

固晶方法，其特征在于：所述冷卻是熱風冷卻，或熱風冷確與接觸性傳導冷卻結合。

固晶方法，利用超聲熔化Au/Sn共晶片，瞬時放置LED芯片，LED芯片承受高溫的時間很短暫，與現有技術相比，LED芯片熱損傷小，并且，本發明的固晶方法過程簡潔，固晶成本低。

本發明的固晶方法，通過吸盤將散置的焊片放置于基板，與現有技術的熱沉工藝相比，具有簡單易行，成本低的特點。

附圖說明

圖1是本發明第一個實施例之流程圖。

圖2是本發明第一個實施例之吸盤工作示意圖。

圖3是圖2中A處局部放大示意圖。

圖4是圖3的替代方案示意圖。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明作進一步詳述。

參考圖1-4，是本發明第一個實施例一種固晶方法，適用于LED光源模塊封裝，其特征在于包括以下步驟：S1，提供基板、提供LED晶片；S2，提供散置的片狀的AuSn焊料；S3，提供吸盤，并通過吸盤吸起AuSn焊料；S4，將AuSn焊料放置于基板；S5，預熱，即將放置好AuSn焊料的基板加熱；S6，置晶，即在AuSn焊料上放置LED晶片；S7，焊接；S8，冷卻；其中，S5步驟所述的預熱，溫度為90℃至265℃；S7步子所述的焊接為超聲波熔接。