[發明專利]具有改良的光電二極管區域分配的CMOS圖像傳感器有效
| 申請號: | 201110206456.X | 申請日: | 2011-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN102339839A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發明(設計)人: | D·毛;戴幸志;V·韋內齊亞;錢胤;H·E·羅茲 | 申請(專利權)人: | 美商豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N9/04 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改良 光電二極管 區域 分配 cmos 圖像傳感器 | ||
1.一種裝置,包括:
像素陣列,所述像素陣列包括形成在襯底上的多個宏像素,每個宏像素包括:
一對第一像素,各自包括用于第一色彩的濾色器,所述第一色彩為像素最敏感的色彩,
第二像素,包括用于第二色彩的濾色器,所述第二色彩為像素最不敏感的色彩,以及
第三像素,包括用于第三色彩的濾色器,像素對所述第三色彩的敏感度介于最不敏感與最敏感之間,
其中所述第一像素所占據的所述宏像素的光收集區域的比例均大于所述第二像素或所述第三像素所占據的比例。
2.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一像素各自占據所述宏像素的介于約20%與約40%之間的光收集區域,所述第二像素占據所述宏像素的介于約10%與約20%之間的光收集區域,且所述第三像素占據所述宏像素的介于約10%與約20%之間的光收集區域。
3.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一像素各自占據所述宏像素的光收集區域的約30%,所述第二像素占據所述宏像素的光收集區域的約20%,且所述第三像素占據所述宏像素的光收集區域的約20%。
4.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一色彩為綠色,所述第二色彩為藍色,且所述第三色彩為紅色。
5.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一色彩為黃色,所述第二色彩為品紅色,且所述第三色彩為青色。
6.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述一對第一像素具有八邊形的形狀。
7.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述宏像素為四邊形的且包括四個像素,其中所述第一像素處于相對隅角中,且所述第二像素與所述第三像素處于相對隅角中。
8.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一像素、第二像素及第三像素形成于所述襯底的正面上,且用于所述第一色彩、第二色彩及第三色彩的濾色器形成于所述襯底的正面上。
9.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一像素、第二像素及第三像素形成于所述襯底的正面上,且所述第一濾色器、第二濾色器及第三濾色器形成于所述襯底的背面上。
10.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,進一步包括耦合至所述像素陣列的像素的控制電路或讀出電路。
11.如權利要求10所述的裝置,其特征在于,所述控制電路可對于所述像素陣列內的每一像素產生傳輸(TX)信號、重置(RST)信號及選擇信號中的一個或多個。
12.一種系統,包括:
圖像傳感器,所述圖像傳感器形成于襯底中,其中所述圖像傳感器具有包括多個宏像素的像素陣列,每個宏像素包括:
一對第一像素,各自包括用于第一色彩的濾色器,所述第一色彩為像素最敏感的色彩,
第二像素,包括用于第二色彩的濾色器,所述第二色彩為像素最不敏感的色彩,以及
第三像素,具有用于第三色彩的濾光器,像素對所述第三色彩的敏感度介于最不敏感與最敏感之間,
其中所述第一像素所占據的所述宏像素的光收集區域的比例均大于所述第二像素或第三像素所占據的比例;以及
控制電路及處理電路,其耦合至所述圖像傳感器以讀出并處理來自所述像素陣列的信號。
13.如權利要求12所述的系統,其特征在于,所述第一像素各自占據所述宏像素的介于約20%與約40%之間的光收集區域,所述第二像素占據所述宏像素的介于約10%與約30%之間的光收集區域,且所述第三像素占據所述宏像素的介于約10%與約30%之間的光收集區域。
14.如權利要求12所述的系統,其特征在于,所述第一像素各自占據所述宏像素的光收集區域的約30%,所述第二像素占據所述宏像素的光收集區域的約20%,且所述第三像素占據所述宏像素的光收集區域的約20%。
15.如權利要求12所述的系統,其特征在于,所述第一色彩為綠色,所述第二色彩為藍色,且所述第三色彩為紅色。
16.如權利要求12所述的系統,其特征在于,所述第一色彩為黃色,所述第二色彩為品紅色,且所述第三色彩為青色。
17.如權利要求12所述的系統,其特征在于,所述一對第一像素具有八邊形的形狀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





