[發(fā)明專利]一種提高淺溝槽隔離制程均勻度的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110206447.0
• 申請(qǐng)日: 2011-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN102427049A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐強(qiáng);張文廣;鄭春生;陳玉文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種提高淺溝槽隔離制程均勻度的方法，在晶圓上形成有多個(gè)用于制備淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的淺溝槽，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、于淺溝槽的側(cè)壁及底部進(jìn)行第一薄膜的沉積，此步驟中所利用的沉積方法的反應(yīng)氣體所產(chǎn)生的部分等離子體濺射或蝕刻淺溝槽的側(cè)壁及底部，在伴隨沉積第一薄膜的同時(shí)還對(duì)淺溝槽的側(cè)壁及底部的形貌起到修正作用，以對(duì)填充在淺溝槽的側(cè)壁及底部的第一薄膜的形貌起到修正作用；

步驟2、繼續(xù)在側(cè)壁及底部形成有薄膜的淺溝槽中進(jìn)行第二薄膜的填充，形成覆蓋晶圓的第二薄膜；

步驟3、進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨去除淺溝槽上多余的第二薄膜沉積物；

其中，步驟2所利用的沉積方法不同于步驟1中的沉積方法，步驟2所利用的沉積方法所淀積的第二薄膜的均勻性優(yōu)于第一薄膜，以保障后續(xù)對(duì)第二薄膜的化學(xué)機(jī)械研磨中，第二薄膜各個(gè)區(qū)域的研磨具有均勻的研磨速率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1中，在一已設(shè)置的淺溝槽中利用高密度等離子體CVD填充法在所述淺溝槽中進(jìn)行第一薄膜的沉積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2中，繼續(xù)在側(cè)壁及底部形成有第一薄膜的淺溝槽中進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，以形成覆蓋HDP?CVD薄膜的另一層第二薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1中所述的反應(yīng)氣體為鹵素源、流動(dòng)氣體或硅源和氧化氣體的混合氣體。