[發明專利]等離子體處理裝置和方法

有效

• 申請號: 201110206202.8
• 申請日: 2005-06-21
• 公開（公告）號: CN102263001A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 輿石公;杉本勝;日向邦彥;小林典之;輿水地鹽;大谷龍二;吉備和雄;齊藤昌司;松本直樹;大矢欣伸;巖田學;矢野大介;山澤陽平;花岡秀敏;速水利泰;山崎廣樹;佐藤學
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/311
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

收容被處理基板，能夠進行真空排氣的處理容器；

在處理容器內相對配置的第一電極和支承被處理基板的第二電極；

向所述第二電極施加等離子體形成用的高頻電力的第一高頻電力施加單元；

向所述第二電極施加第二高頻電力的第二高頻電力施加單元；

向所述第一電極施加直流電壓的直流電源；

向所述處理容器內供給處理氣體的處理氣體供給單元；和

設置在所述第一電極與所述處理容器之間，能夠改變所述第一電極與所述處理容器之間的電容的可變電容器。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述直流電源向所述第一電極的施加電壓、施加電流和施加電力中的任一個均可變。

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

還包括控制從所述直流電源向所述第一電極的施加電壓、施加電流和施加電力中的任一個的控制裝置。

4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述控制裝置控制可否從所述直流電源向所述第一電極施加直流電壓。

5.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

還包括對生成的等離子體的狀態進行檢測的檢測器，根據該檢測器的信息，所述控制裝置控制從所述直流電源向所述第一電極的施加電壓、施加電流和施加電力中的任一個。

6.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一電極為上部電極，所述第二電極為下部電極。

7.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

向所述第二電極施加的第一高頻電力的頻率為27MHz以上。

8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

向所述第二電極施加的第一高頻電力的頻率為40MHz以上。

9.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

向所述第二電極施加的第二高頻電力的頻率為13.56MHz以下。

10.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述直流電源施加-2000～+1000V范圍的電壓。

11.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一電極的與所述第二電極相對的面由含硅的物質形成。

12.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一電極相對于接地電位為直流浮動狀態。

13.如權利要求12所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

具有能夠將所述第一電極改變為浮動狀態或接地狀態的可變裝置，根據來自整體控制裝置的指令，當向所述第一電極施加直流電壓時，所述可變裝置使所述第一電極相對于接地電位成為浮動狀態，當不向所述第一電極施加直流電壓時，所述可變裝置使所述第一電極相對于接地電位成為浮動狀態或接地狀態中的任一個。

14.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

為了使由向所述第一電極施加的來自所述直流電源的直流電壓產生的電流通過等離子體放出，在所述處理容器內設置有總是接地的導電性部件。

15.如權利要求14所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一電極為上部電極，所述第二電極為下部電極，所述導電性部件設置在所述第二電極的周圍。

16.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一電極為上部電極，所述第二電極為下部電極，所述導電性部件配置在所述第一電極的附近。

17.如權利要求16所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述導電性部件呈環狀配置在所述第一電極的外側。

18.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述導電性部件具有用于防止等離子體處理時的飛濺物附著的凹部。