[發明專利]一種帶有單端電路補償結構的低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201110206157.6
• 申請日: 2011-07-22
• 公開（公告）號: CN102332867A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 任俊彥;張楷晨;廉琛;李巍;李寧;許俊;葉凡
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/16
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種帶有單端電路補償結構的低噪聲放大器，其特征在于，包含：?

輸入匹配級，用以實現接收信號，并進行匹配；

放大級，連接于所述匹配級與輸出端之間，用以放大所述匹配級的輸出信號；

負載級，連接于電源與所述輸出端之間，用以輸出放大信號；

反饋級，連接于所述匹配級與所述輸出端之間，用來依據所述放大級輸出的放大信號產生一個反饋信號，并將所述反饋信號反饋至所述匹配級；

單端電路補償級，連接于單端電路之后，用以提供反相信號，減小片外非理想因素的干擾。

2.如權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述匹配級為一LC帶通濾波網絡，實現寬帶輸入匹配；其由接信號輸入端的芯片封裝鍵合線的等效電感L_bonding與ESD?PAD的等效電容C_Pad構成匹配級輸入，并與源極電感L₁，及所述放大級的等效輸入電容C_in順次相連。

3.如權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述放大級包含：

以共柵共漏相連接的第一PMOS管?（M₂）與第一NMOS管?（M₁），其柵極均與所述匹配級的所述反饋回路串聯電阻相連，其中所述第一NMOS管（M₁）源極接源極退化電感（L₁），經過該退化電感接地，該退化電感主要用于在輸入匹配級的匹配網絡內與柵極寄生電容諧振；其中所述第一PMOS管（M₂）源極接電源；?

第二NMOS管（M₃），其源極和所述第一PMOS管（M₂）與第一NMOS管（M₁）的漏極相連接，作為共柵極電流跟隨器，其漏極與所述輸出端相連。

4.如權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述反饋級包含：?

第三NMOS管（M₄），其柵極與第二NMOS管（M₃）漏極相連，其漏極接電源，其源極接電流源第四NMOS管（M₅）漏極以及第二隔直電容，該電容接反饋電阻R_F后接第一PMOS管（?M₂）與第一NMOS管（?M₁）柵極，用以實現寬帶輸入匹配。

5.如權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述負載級，只使用一個負載電阻，無電感，所述負載電阻R_D1其一端接電源，另一端接所述輸出端，與所述第二NMOS管（M₃）的漏極相連。?

6.如權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述單端電路補償級接與放大級之后，該補償級包含：

第五NMOS管（M₆），其柵極接第二NMOS管（M₃）漏極，其漏極接補償級負載電阻R_D2，其源極與放大級NMOS管（M₁）源極相接，然后接地。