[發明專利]等離子體處理裝置和方法

有效

• 申請號: 201110206125.6
• 申請日: 2005-06-21
• 公開（公告）號: CN102263026A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 輿石公;杉本勝;日向邦彥;小林典之;輿水地鹽;大谷龍二;吉備和雄;齊藤昌司;松本直樹;大矢欣伸;巖田學;矢野大介;山澤陽平;花岡秀敏;速水利泰;山崎廣樹;佐藤學
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理方法，其特征在于：

在處理容器內，將第一電極和支承被處理基板的第二電極相對配置，一邊向所述第一電極施加頻率相對較高的第一高頻電力、并向所述第二電極施加頻率相對較低的第二高頻電力，一邊向所述處理容器內供給處理氣體，以生成所述處理氣體的等離子體，對被支承在所述第二電極上的被處理基板進行等離子體處理，

該等離子體處理方法具有：向所述第一電極施加直流電壓的工序；和一邊向所述第一電極施加直流電壓，一邊對所述被處理基板進行等離子體處理的工序，

在對被支承在所述第二電極上的被處理基板的絕緣膜進行蝕刻時，使用CF₄、Ar、N₂、CHF₃的組合作為所述處理氣體。

2.如權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述第一電極為上部電極，所述第二電極為下部電極。

3.如權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述直流電壓為絕對值大于由向所述第一電極施加的第一高頻電力在該第一電極的表面產生的自偏壓的負電壓。

4.如權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

向所述第一電極施加的第一高頻電力的頻率為13.56～60MHz，向所述下部電極施加的第二高頻電力的頻率為300kHz～13.56MHz以下。

5.如權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述絕緣膜為有機類絕緣膜。

6.如權利要求5所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述有機類絕緣膜為SiOC類膜。

7.如權利要求6所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述SiOC類膜的底膜由碳化硅(SiC)形成。

8.如權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述直流電壓的絕對值為1500V以下。

9.如權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

處理壓力為1.3～26.7Pa。

10.如權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

向所述第一電極施加的第一高頻電力為3000W以下。

11.如權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

向所述第二電極施加的第二高頻電力為100～5000W。

12.一種等離子體處理方法，其特征在于：

在處理容器內，將第一電極和支承被處理基板的第二電極相對配置，一邊向所述第一電極施加頻率相對較高的第一高頻電力、并向所述第二電極施加頻率相對較低的第二高頻電力，一邊向所述處理容器內供給處理氣體，以生成所述處理氣體的等離子體，對被支承在所述第二電極上的被處理基板進行等離子體處理，

該等離子體處理方法具有：向所述第一電極施加直流電壓的工序；和一邊向所述第一電極施加直流電壓，一邊對所述被處理基板進行等離子體處理的工序，

在對被支承在所述第二電極上的被處理基板的有機反射防止膜進行蝕刻時，使用CH₂F₂、CHF₃、Ar、O₂的組合作為所述處理氣體。

13.如權利要求12所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述第一電極為上部電極，所述第二電極為下部電極。

14.如權利要求12所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述直流電壓為絕對值大于由向所述第一電極施加的第一高頻電力在該第一電極的表面產生的自偏壓的負電壓。

15.如權利要求12所述的等離子體處理方法，其特征在于：

向所述第一電極施加的第一高頻電力的頻率為13.56～60MHz，向所述下部電極施加的第二高頻電力的頻率為300kHz～13.56MHz以下。

16.如權利要求12所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述直流電壓的絕對值為1500V以下。

17.如權利要求12所述的等離子體處理方法，其特征在于：

處理壓力為1.3～26.7Pa。