[發明專利]布線圖案之間具有饋通導體的電子模塊

有效

• 申請號: 201110205912.9
• 申請日: 2011-07-22
• 公開（公告）號: CN102348324A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: A·伊郝拉;R·圖奧米寧
• 申請（專利權）人: 伊姆貝拉電子有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/11;H05K1/18;H01L23/538
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

技術領域

本發明涉及電子模塊及其結構部件。?

尤其，本發明涉及這樣一種電子模塊：其包括至少四個布線圖案層和至少部分嵌入在位于該布線圖案層之間的絕緣層中的至少一個半導體組件。?

背景技術

公開號為2002/0135058?A1的美國專利(Asahi等等)公開了一種使用鍍通孔方法的組件內置模塊。借助于所介紹的實施例，可以增加布線密度(routing?density)并且不需要構建許多的增層或者根本不需要構建增層。但是，當將這種方法用于具有例如成百個焊盤的微電路時，這種方法效率低且慢，從而增加了制造時間和成本。?

目前，有許多不同的方法和可用的技術借助于貫穿孔(也稱作通孔)在布線板的兩側之間形成電連接。一個早期的用于形成通孔的方法使用裝配在另外的制作好的布線板的通孔中的導電鉚銷。鉚銷方法裝配慢并且貴、不可靠且不能充分減小必要通孔的尺寸。其它現有技術方法為鍍通孔(PTH)和過孔-上-過孔(via-on-via)結構。所有現有技術的方法都不能解決上述問題。?

例如，使用化學和/或電鍍技術實際上不能在微過孔的直徑為150μm或以下時實現縱橫比(高/寬)大于100的可靠的導電微過孔。在一般縱橫比為8∶1并且最大縱橫比為12∶1的通孔下，也是一樣的。換言之，布散能力限制了窄且深的通孔或微過孔變得可靠地導通以及與導電材料牢固地結合。布散能力指的是通過化學或電解生長方法使窄且深的通孔或微過孔中充滿導電材料的能力。當微過孔和通孔的直徑為150μm或以下時，在各自的縱橫比大于上述縱橫比的微過孔和通孔中使用任意種類的導電漿或粘合劑的情形也是類似的。?

因此，背景技術包括不同的解決方法，但是它們都不能在產品價格可?以接受的情況下充分提供高布線效率?？紤]到布線效率和價格，尤其是當旨在增加組件的觸點數量以及使組件上的觸點焊接區或凸起之間的節距變窄時，還需要尋求具有潛在改進特性的進一步技術。?

發明內容

根據本發明的一個方面，提供一種電子模塊，包括：?

介電襯底，具有第一表面和第二表面；?

安裝腔，延伸通過該介電襯底并且在該第一表面和該第二表面之間具有外圍側壁；?

第一布線層，位于該介電襯底的第一表面上；?

第二布線層，位于該介電襯底的第二表面上；?

饋通導體，位于該安裝腔的外圍側壁上且使該第一布線層中的至少一個導體電連接到該第二布線層中的至少一個導體；?

至少一個半導體組件，至少部分位于該安裝腔內；?

第一絕緣層，位于該第二布線層上；?

第二絕緣層，位于該第一布線層上；?

第三布線層，位于該第一絕緣層上；?

第一微過孔，位于該第一絕緣層內且使該第二布線層和該第三布線層之間電連接；?

第二微過孔，使該至少一個半導體組件連接到該第二布線層和該第三布線層中的至少一個；?

第四布線層，位于該第二絕緣層上；以及?

第三微過孔，位于該第二絕緣層內且使該第一布線層和該第四布線層之間電連接。?

根據本發明的另一方面，提供一種電子模塊的制造方法，包括：?

提供具有第一表面和第二表面的介電襯底；?

形成延伸通過介電襯底并且在第一表面和第二表面之間具有外圍側壁的安裝腔；?

在介電襯底的第一表面上形成第一布線層；?

在介電襯底的第二表面上形成第二布線層；?

在安裝腔的外圍側壁上形成至少一個饋通導體并且將第一布線層中的至少一個導體電連接到第二布線層中的至少一個導體；?

將至少一個半導體組件至少部分地設置安裝腔內；?

在第二布線層上形成第一絕緣層；?

在第一布線層上形成第二絕緣層；?

在第一絕緣層上形成第三布線層；?

在第一絕緣層內形成第一微過孔并且使第二布線層和第三布線層之間電連接；?

形成將至少一個半導體組件電連接到第二布線層和第三布線層中的至少一個的第二微過孔；?

在第二絕緣層上形成第四布線層；以及?

在第二絕緣層內形成第三微過孔并且使第一布線層和第四布線層之間電連接。?

根據本發明的又一方面，位于安裝腔內的饋通導體被分為多個部分，從而在安裝腔的外圍側壁上形成多個饋通導體，該饋通導體通過多個單獨的電路徑使該第一布線層和該第二布線層彼此電連接。?

因此，根據本發明的又一方面，電子模塊包括：?