[發明專利]全光纖結構的窄線寬單橫模百瓦級2微米摻銩光纖激光器

無效

• 申請號: 201110205448.3
• 申請日: 2011-07-21
• 公開（公告）號: CN102299475A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 馮選旗;馮曉強;賀慶麗;白晉濤
• 申請（專利權）人: 西北大學
• 主分類號: H01S3/23
• 分類號: H01S3/23;H01S3/08
• 代理公司: 西安恒泰知識產權代理事務所 61216
• 代理人: 李鄭建

1.一種全光纖結構的窄線寬單橫模百瓦級2μm摻銩光纖激光器，包括種子泵浦源（1）、全反射光纖光柵（2）、雙包層主振蕩光纖（3）、第一半反射光纖光柵（4），其特征在于，還包括雙包層次振蕩光纖（5）、第二半反射光纖光柵（6）、光隔離器（7）、放大級泵浦組件（8）、合束器（9）、雙包層放大光纖（10）和輸出尾纖（11），其中，所述種子泵浦源（1）發出的種子激光的光路上依次設置所述全反射光纖光柵（2）、雙包層主振蕩光纖（3）、第一半反射光纖光柵（4）、雙包層次振蕩光纖（5）、第二半反射光纖光柵（6）、光隔離器（7），上述部件首尾相連依次熔接，所述光隔離器（7）的輸出端與所述合束器（9）的信號輸入端熔接，所述放大級泵浦組件（8）的6個泵浦模塊輸出端分別與所述合束器（9）的6個泵浦輸入端熔接，所述合束器（9）的輸出端與所述雙包層放大光纖（10）熔接，該雙包層放大光纖（10）的輸出端與所述輸出尾纖（11）熔接。

2.根據權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述雙包層主振蕩光纖（3）和雙包層次振蕩光纖（5）均采用6/125μm單模摻銩雙包層光纖。

3.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述雙包層主振蕩光纖（3）的光纖長度為12.8米，雙包層次振蕩光纖（5）的光纖長度為2.9米。

4.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述種子泵浦源（1）采用帶尾纖輸出40W的790nm半導體激光器。

5.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述全反射光纖光柵（2）、第一半反射光纖光柵（4）、第二半反射光纖光柵（6）均采用中心波長為2030nm的Bragg光纖光柵，所述全反射光纖光柵（2）的反射率大于99%，所述第一半反射光纖光柵（4）和第二半反射光纖光柵（6）的反射率小于等于80%。

6.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述光隔離器（7）采用工作波長為2030nm，插入損耗≤0.5dB，隔離度≥40dB的光隔離器。

7.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述放大級泵浦組件（8）采用帶6個60W的790nm帶100μm尾纖輸出的半導體激光器。

8.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述合束器（9）采用(6+1)*1合束器。

9.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述雙包層放大光纖（10）采用20/400μm雙包層摻銩光纖，包層吸收率為6dB/m。

10.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述輸出尾纖（11）采用損傷閾值≥300W?的能量光纖。