[發明專利]背側照明的圖像傳感器

有效

• 申請號: 201110205267.0
• 申請日: 2009-10-21
• 公開（公告）號: CN102263118A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 雅羅斯拉夫.海尼塞克;倫納德.福布斯;霍馬尤恩.哈達德;托馬斯.喬伊
• 申請（專利權）人: 智慧投資II有限責任公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種用于制作背側照明的圖像傳感器的方法，所述方法包括：

靠近基板的前側形成光接收元件；

在所述基板的所述前側之上形成互連層；

在所述基板的背側靠近所述光接收元件形成透明導電層；以及

形成電性連接所述互連層和所述透明導電層的導電對準鍵，其中所述導電對準鍵在所述互連層與所述透明導電層之間延伸穿過所述基板。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述形成互連層包括形成圖案化金屬層和圖案化絕緣層。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述形成圖案化金屬層和圖案化絕緣層包括形成多個圖案化金屬層和多個圖案化絕緣層。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述形成互連層包括形成多個圖案化金屬層，其中所述導電對準鍵電性連接到離所述基板的所述前側最遠的圖案化金屬層。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述形成透明導電層包括由選自由ITO、ZO、SnO和ZTO構成的組中的材料形成所述透明導電層。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述透明導電層包括ITO層，且其中所述方法還包括以選自由Co、Ti、W、Mo和Cr構成的雜質組中的雜質摻雜所述ITO層。

7.如權利要求5所述的方法，其中所述透明導電層包括ZO層，且其中所述方法還包括以選自由Mg、Zr和Li構成的雜質組中的雜質摻雜所述ZO層。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述透明導電層包括多晶硅層、貴金屬層或者多晶硅層與貴金屬層兩者。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述形成光接收元件包括在所述基板中形成光敏二極管。

10.如權利要求1所述的方法，還包括靠近所述光接收元件在所述透明導電層之上形成彩色濾光片和微透鏡兩者。

11.一種用于制造背側照明的圖像傳感器的方法，所述方法包括：

在基板中形成光接收元件；

靠近所述光接收元件在所述基板之上形成層間絕緣層；

形成對準鍵，與所述光接收元件間隔開并且穿過所述層間絕緣層和所述基板；

在所述層間絕緣層之上的多層結構中形成多個互連層，其中所述多層結構的金屬層電性連接到所述對準鍵；

在所述多個互連層的前面的最外層之上形成前側鈍化層；

在所述基板之上形成背側鈍化層；以及

靠近所述光接收元件在所述背側鈍化層之上形成透明導電層，其中形成所述透明導電層，使得所述透明導電層電性連接到所述對準鍵。

12.如權利要求11所述的方法，還包括靠近所述光接收元件在所述透明導電層之上形成彩色濾光片和微透鏡兩者。

13.如權利要求11所述的方法，還包括在所述前側鈍化層之上形成另外的基板。

14.如權利要求13所述的方法，所述形成背側鈍化層包括形成多層結構，所述多層結構包括由折射率不同的材料形成的層。

15.如權利要求11所述的方法，其中所述背側鈍化層包括折射率低于所述基板的折射率的層。

16.如權利要求14所述的方法，其中所述背側鈍化層包括折射率低于所述基板的折射率的層。

17.如權利要求11所述的方法，還包括靠近所述前側鈍化層接合另外的基板。

18.如權利要求17所述的方法，其中所述另外的基板包括絕緣體上硅基板。

19.如權利要求15所述的方法，其中所述形成透明導電層包括由選自由ITO、ZO、SnO和ZTO構成的組中的材料形成所述透明導電層。

20.如權利要求19所述的方法，其中所述透明導電層包括ITO層，且其中所述方法還包括以選自由Co、Ti、W、Mo和Cr構成的雜質組中的雜質摻雜所述ITO層。

21.如權利要求19所述的方法，其中所述透明導電層包括ZO層，且其中所述方法還包括以選自由Mg、Zr和Li構成的雜質組中的雜質摻雜所述ZO層。

22.如權利要求11所述的方法，其中所述透明導電層包括多晶硅層、貴金屬層或者多晶硅層與貴金屬層兩者。