[發明專利]電荷泵電路、非易失性存儲器、數據處理裝置和微計算機應用系統有效
| 申請號： | 201110205213.4 | 申請日： | 2011-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN102377334A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發明（設計）人： | 櫻井良多郎;葛西秀男 | 申請（專利權）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H02M3/07 | 分類號： | H02M3/07;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華;鄭菊 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電荷 電路 非易失性存儲器 數據處理 裝置 計算機 應用 系統 | ||
1.一種電荷泵電路，包括：
升壓電容器，包括相互串聯耦合的第一電容和第二電容；
電容驅動器，可操作用于通過驅動所述升壓電容器來生成升壓電壓；以及
保護電路，耦合到所述第一電容和所述第二電容的串聯耦合節點，
其中在未生成所述升壓電壓時，所述保護電路設置在導通狀態中并且對存儲在所述第一電容和所述第二電容的所述串聯耦合節點的電荷放電，而在生成所述升壓電壓時，所述保護電路被維持在非導通狀態中。
2.根據權利要求1所述的電荷泵電路，
其中所述保護電路包括與所述第一電容和所述第二電容的所述串聯耦合節點耦合的二極管。
3.根據權利要求2所述的電荷泵電路，還包括：
控制電路，可操作用于控制所述二極管的陰極的電勢。
4.根據權利要求3所述的電荷泵電路，
其中在未生成所述升壓電壓時，所述控制電路將所述二極管的所述陰極控制成低電平，而在生成所述升壓電壓時，所述控制電路將所述二極管的所述陰極控制成高電平。
5.根據權利要求4所述的電荷泵電路，
其中所述二極管是pn結二極管，在所述pn結二極管中，在n阱區域中的p型擴散層和n型擴散層接合，并且所述pn結二極管的陽極耦合到所述第一電容和所述第二電容的所述串聯耦合節點。
6.根據權利要求1所述的電荷泵電路，
其中所述保護電路包括借助于MOS晶體管的開關，所述MOS晶體管耦合到所述第一電容和所述第二電容的所述串聯耦合節點。
7.根據權利要求6所述的電荷泵電路，還包括：
控制電路，可操作用于控制借助于所述MOS晶體管的所述開關的操作。
8.根據權利要求7所述的電荷泵電路，
其中在未生成所述升壓電壓時，所述控制電路將所述開關控制成導通狀態，而在生成所述升壓電壓時，所述控制電路將所述開關控制成非導通狀態。
9.根據權利要求5所述的電荷泵電路，
其中在所述阱區域之上層疊第一多晶硅層和第二多晶硅層，而絕緣層插入在所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層之間來形成包括相互串聯耦合的所述第一電容和所述第二電容的所述升壓電容器。
10.根據權利要求5所述的電荷泵電路，
其中所述第一電容和所述第二電容是單層電容器，所述單層電容器包括在所述阱區域之上的具有插入絕緣膜的多晶硅層的層疊。
11.根據權利要求5所述的電荷泵電路，
其中所述第一電容和所述第二電容是MIM電容器，所述MIM電容器包括上金屬層和下金屬層的層疊，而絕緣膜插入在所述上金屬層和所述下金屬層之間。
12.一種非易失性存儲器，包括：
根據權利要求5所述的電荷泵電路，
存儲器陣列，在所述存儲器陣列中布置有非易失性存儲器單元；以及
電路，可操作以使用由所述電荷泵電路生成的升壓電壓來對所述存儲器陣列進行讀/寫。
13.一種數據處理裝置，包括：
根據權利要求12所述的非易失性存儲器；以及
CPU，可操作以用于存取所述非易失性存儲器。
14.一種微計算機應用系統，包括：
微計算機，可操作以用于執行預定控制程序，
其中所述微計算機包括根據權利要求13所述的數據處理裝置。
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