[發明專利]用于薄膜太陽能模塊的多程激光邊緣去除工藝

無效

• 申請號: 201110205023.2
• 申請日: 2011-07-14
• 公開（公告）號: CN102339899A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 王立平;蘇杰發;薩林·森德·賈因納加·庫伯薩斯沃米;歐雷·勒克納
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B23K26/36
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種用于處理基板上太陽能電池器件的方法，所述方法包含：

提供基板，所述基板具有沉積于所述基板上的薄膜層疊，所述薄膜層疊包含透明導電層、含硅層和導電層；

使用以第一能量級輸送的電磁輻射，去除形成于沿基板側面的邊緣區上的所述導電層和所述含硅層；以及

使用以高于所述第一能量級的第二能量級輸送的電磁輻射，去除形成于沿所述基板側面的邊緣區上的所述透明導電層。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述電磁輻射從底部穿過所述基板對準至一個或更多個待去除層中的所要位置。

3.如權利要求1所述的方法，其中以約15mJ/mm²至約75mJ/mm²的能量密度輸送用于去除所述導電層和所述含硅層的所述電磁輻射，且以約45mJ/mm²至約120mJ/mm²的能量密度輸送用于去除所述透明導電層的所述電磁輻射。

4.如權利要求3所述的方法，其中通過對準一系列連續激光脈沖，以約2％至約15％的點重疊、約5％至約15％的線重疊和約15％至約45％的片段重疊，輸送用于去除所述導電層和所述含硅層的所述電磁輻射。

5.如權利要求3所述的方法，其中通過對準一系列連續激光脈沖，以約10％至約30％的點重疊、約5％至約20％的線重疊和約15％至約45％的片段重疊，輸送用于去除所述透明導電層的所述電磁輻射。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述含硅層為薄膜層疊，所述薄膜層疊包含：p型含硅層、n型含硅層和本征型含硅層，所述本征型含硅層夾在所述p型含硅層與n型含硅層之間。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述透明導電層包含：含鋅材料、含鋁材料、含錫材料、含ITO材料或上述材料的合金。

8.一種用于處理基板上太陽能電池器件的方法，包含：

提供基板，所述基板具有透明導電層和沉積于所述透明導電層上的薄膜層疊，所述薄膜層疊包含導電層和一個或更多個含硅層；

在以第一功率級輸送的電磁輻射線的第一掃描期間，從沿基板側面的邊緣區中去除所述薄膜層疊；以及

在以高于所述第一功率級的第二功率級輸送的所述電磁輻射線的第二掃描期間，從沿所述基板側面的所述邊緣區中去除所述透明導電層。

9.如權利要求8所述的方法，其中通過對準一系列連續激光脈沖，輸送所述電磁輻射線。

10.如權利要求9所述的方法，其中以約2％至約15％的點重疊、約5％至約15％的線重疊和約15％至約45％的片段重疊，輸送用于去除所述薄膜層疊的所述電磁輻射。

11.如權利要求9所述的方法，其中以約10％至約30％的點重疊、約5％至約30％的線重疊和約15％至約45％的片段重疊，輸送用于去除所述透明導電層的所述電磁輻射。

12.一種用于處理基板上太陽能電池器件的方法，包含：

提供基板，所述基板具有透明導電層和順序地沉積于所述透明導電層上的薄膜層疊，所述薄膜層疊包含導電層和一個或更多個含硅層；

將以第一脈沖能量輸送的一系列連續激光脈沖對準整個沿所述基板側面的邊緣區，以去除所述薄膜層疊；以及

將以第二脈沖能量輸送的一系列連續激光脈沖對準整個沿所述基板側面的所述邊緣區，以去除所述透明導電層，其中第一脈沖能量低于所述第二脈沖能量。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述系列連續激光脈沖經部分重疊，以提供激光燒蝕片段，所述激光燒蝕片段覆蓋所述邊緣區中的至少一部分。

14.如權利要求13所述的方法，其中在所述基板上以單次來回移動的方式，將所述激光燒蝕片段重復地應用于沿所述基板所述側面的所述邊緣區上。

15.如權利要求14所述的方法，其中以約15％至約45％的片段重疊，重復所述激光燒蝕片段。