[發(fā)明專利]半導體組件及制造半導體組件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110204956.X
• 申請日: 2011-07-13
• 公開（公告）號: CN102403290A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳偉誠;侯上勇;鄭心圃;劉醇鴻;邱志威;史朝文
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/522;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體組件，其特征在于，包含：

一金屬接合墊，位于一半導體基材之上；

一保護層，位于該金屬接合墊之上，且該保護層暴露出該金屬接合墊的一第一部分；

一環(huán)狀層，位于該保護層及該金屬接合墊之上，其中該環(huán)狀層暴露出該金屬接合墊的一第二部分，該金屬接合墊的該第二部分是位于該金屬接合墊的該第一部分之內(nèi)；

一凸塊下金屬層，位于該環(huán)狀層之上，且該凸塊下金屬層電性連接至該金屬接合墊的該第二部分；以及

一金屬凸塊，位于該凸塊下金屬層之上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體組件，其特征在于，該環(huán)狀層包含高分子聚合物層、一介電層、或至少一鋁層與一銅層，其中該介電層具有小于3.5的介電常數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體組件，其特征在于，該環(huán)狀層從該凸塊下金屬層的邊緣延伸一距離，其中該距離D約5微米至15微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體組件，其特征在于，該金屬凸塊包含一銅柱、位于該銅柱之上的一遮蔽層、以及位于該遮蔽層之上的一焊料層，其中該遮蔽層包含鎳，且該焊料層包含一無鉛焊料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體組件，其特征在于，該環(huán)狀層包含至少一圓形環(huán)、一方形環(huán)以及一八邊形環(huán)。

6.一種半導體組件，其特征在于，包含：

一金屬接合墊，位于一半導體基材之上；

一保護層，位于該金屬接合墊之上，且該保護層暴露出該金屬接合墊的一部分；

一內(nèi)連接線，位于該保護層之上，且該內(nèi)連接線電性連接至該金屬接合墊被暴露出的該部分；

一阻障層，位于該內(nèi)連接線之上，且該阻障層暴露出該內(nèi)連接線的一部分；

一環(huán)狀層，位于該阻障層之上，且該環(huán)狀層電性連接至該內(nèi)連接線被暴露出的該部分；

一凸塊下金屬層，位于該環(huán)狀層之上，且該凸塊下金屬層電性連接至該內(nèi)連接線被暴露出的該部分；以及

一金屬凸塊，位于該凸塊下金屬層之上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體組件，其特征在于，該環(huán)狀層包含高分子聚合物層、一介電層、或至少一鋁層與一銅層，其中該介電層具有小于3.5的介電常數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體組件，其特征在于，該金屬凸塊包含一銅層以及位于該銅層之上的一焊球。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體組件，其特征在于，該環(huán)狀層包含至少一圓形環(huán)、一方形環(huán)以及一八邊形環(huán)。

10.一種制造半導體組件的方法，其特征在于，包含：

提供一半導體基材，其中該半導體基材具有一傳導區(qū)；

形成一介電層，其中該介電層是位于該半導體基材之上；

形成一第一開口部于該介電層中，以暴露出該傳導區(qū)的一部分；

形成一環(huán)狀層，其中該環(huán)狀層是位于該介電層之上，且該環(huán)狀層暴露出該傳導區(qū)被暴露出的該部分的至少一部分；

形成一凸塊下金屬層，其中該凸塊下金屬層是位于該環(huán)狀層、該介電層與該傳導區(qū)之上；

形成一遮罩層，其中該遮罩層具有一第二開口部，且位于該凸塊下金屬層之上；

形成一傳導材料層于該遮罩層的該第二開口部中，且其中該傳導材料層電性連接至該凸塊下金屬層；以及

移除該遮罩層。