[發明專利]可變電阻存儲器件和其驅動方法

無效

• 申請號: 201110204675.4
• 申請日: 2011-07-21
• 公開（公告）號: CN102347074A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 北川真;小方憲太郎
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 周少杰

1.一種可變電阻存儲器件，包含：

存儲單元，其包括存儲元件和存取晶體管，所述存儲元件根據在置位或復位操作中施加至所述存儲元件的外加電壓的極性而在電阻上可變，所述存取晶體管在第一和第二公共線之間以串聯方式連接至所述存儲元件；以及

驅動電路，其包括第一路徑晶體管以及第二路徑晶體管，所述第一路徑晶體管連接在用于供給第一電壓的第一供給線和所述第一公共線之間，所述第二路徑晶體管連接在用于供給第二電壓的第二供給線和所述第一公共線之間，

其中，所述驅動電路控制施加至所述第一路徑晶體管的柵極電極的電壓、施加至所述第二路徑晶體管的柵極電極的電壓和出現在所述第二公共線上的電壓，以便在所述外加電壓施加至所述存儲元件以執行所述置位操作時，驅動所述第一路徑晶體管進行漏極輸出操作，而在所述外加電壓施加至所述存儲元件以執行所述復位操作時，驅動所述第二路徑晶體管進行源極跟隨器操作。

2.如權利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中，所述存儲元件是具有以如下這樣大的量變化的電阻的可變電阻元件，所述量使得：所述第一或第二路徑晶體管的所述置位和復位操作中的工作點在所述第一或第二路徑晶體管的飽和與不飽和區之間進行轉變。

3.如權利要求2所述的可變電阻存儲器件，其中，所述可變電阻存儲器件包括如下的配置，在該配置中：

提供使得所述存取晶體管同時受控的多個所述存儲單元；

在所述存儲單元的布局中，將由所述第一和第二公共線組成的公共線配對提供給每一個所述存儲單元；并且

所述驅動電路能夠針對每一個所述存儲單元獨立地控制施加至所述第一路徑晶體管的柵極電極的電壓、施加至所述第二路徑晶體管的柵極電極的電壓以及出現在所述第二公共線上的電壓。

4.如權利要求3所述的可變電阻存儲器件，所述可變電阻存儲器件包括如下的配置，在該配置中，所述驅動電路能夠執行控制以便在同一時段或交迭時段期間，對所述存儲單元的布局中的所述存儲元件中的任何特定的存儲元件進行所述置位操作，并對所述存儲元件的其它存儲元件進行所述復位操作。

5.如權利要求3所述的可變電阻存儲器件，其中，所述驅動電路中包括的所述第一和第二路徑晶體管中的每一個均是第一導電型的絕緣柵晶體管。

6.如權利要求5所述的可變電阻存儲器件，其中，所述第二電壓高于所述第一電壓。

7.如權利要求6所述的可變電阻存儲器件，其中，所述驅動電路包括：

第二導電型的第一控制晶體管，其用于在所述置位操作中將高于所述第一電壓的電壓或所述第二電壓施加至所述第二公共線；以及

第一導電型的第二控制晶體管，其用于在所述復位操作中將低于所述第二電壓的電壓或所述第一電壓施加至所述第二公共線。

8.如權利要求7所述的可變電阻存儲器件，其中，所述驅動電路包括：

所述第一導電型的第一路徑晶體管，其使得其源極電極連接至所述第一供給線；

第一導電型的第三控制晶體管，其連接在所述第一導電型的第一路徑晶體管的漏極電極和所述第一公共線之間；

所述第一導電型的第二路徑晶體管，其使得其漏極電極連接至所述第一公共線；

第二導電型的第四控制晶體管，其連接在所述第一導電型的第二路徑晶體管的源極電極和所述第二供給線之間；以及

數據輸入部分，其配置為根據輸入數據的邏輯來驅動由所述第一和第三控制晶體管組成的配對以及由所述第二和第四控制晶體管組成的配對，以分別進行差分工作。

9.如權利要求3所述的可變電阻存儲器件，其中，所述驅動電路中包括的所述第一和第二路徑晶體管中的每一個均是第二導電型的絕緣柵晶體管。

10.如權利要求9所述的可變電阻存儲器件，其中，所述第一電壓高于所述第二電壓。

11.如權利要求10所述的可變電阻存儲器件，其中，所述驅動電路包括：

第一導電型的第一控制晶體管，其用于在所述置位操作中將低于所述第一電壓的電壓或所述第二電壓施加至所述第二公共線；以及

第二導電型的第二控制晶體管，其用于在所述復位操作中將高于所述第二電壓的電壓或所述第一電壓施加至所述第二公共線。