[發明專利]離子供給裝置和具有離子供給裝置的被處理體的處理系統有效
| 申請號： | 201110204486.7 | 申請日： | 2011-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN102347257A | 公開（公告）日： | 2012-02-08 |
| 發明（設計）人： | 菅原佑道 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;張會華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 供給 裝置 具有 處理 系統 | ||
1.一種離子供給裝置，其特征在于，包括：
離子產生器，其用于產生能夠除去靜電的離子；
載氣供給部，其用于將載氣供給到上述離子產生器，該載氣用于對在上述離子產生器中產生的離子進行輸送；
離子供給噴嘴，其經由噴出口將來自上述離子產生器的離子和載氣噴出到要除去靜電的除電對象；
在上述噴出口上設有狹縫，該狹縫形成為在其與上述除電對象之間的距離變遠時該狹縫的寬度變寬；
上述離子供給噴嘴具有被設在上述噴出口附近的內部流路中的多個內部翅片，該內部翅片配置為使從上述狹縫噴出的離子和載氣均勻地分散在上述狹縫的長度方向的整個區域。
2.根據權利要求1所述的離子供給裝置，其特征在于，
上述狹縫形成為該狹縫的寬度隨著朝向上述離子供給噴嘴的頂端側去而變寬的倒錐形狀。
3.根據權利要求1所述的離子供給裝置，其特征在于，
上述離子供給噴嘴由聚碳酸酯、石英或者聚醚醚酮即PEEK形成。
4.根據權利要求1所述的離子供給裝置，其特征在于，
上述離子產生器為電離器。
5.一種被處理體的處理系統，其用于對被處理體進行處理，其特征在于，
該被處理體的處理系統包括被配置在對上述被處理體進行處理的處理區域內的離子供給裝置；
上述離子供給裝置包括：
離子產生器，其用于產生能夠除去靜電的離子；
載氣供給部，其用于將載氣供給到上述離子產生器，該載氣用于對在上述離子產生器中產生的離子進行輸送；
離子供給噴嘴，其經由噴出口將來自上述離子產生器的離子和載氣噴出到要除去靜電的除電對象。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
