[發明專利]一種用于大規?？扉W存儲器的靈敏放大器

有效

• 申請號: 201110204364.8
• 申請日: 2011-07-21
• 公開（公告）號: CN102890955A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 劉明;張君宇;張滿紅;霍宗亮;謝常青;潘立陽;陳映平;劉阿鑫
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 王建國

技術領域

?本發明涉及一種靈敏放大器，尤其涉及一種用于大規?？扉W存儲器的靈敏放大器，屬于微納電子存儲器技術領域。

背景技術

存儲器大致可分為兩大類：揮發性存儲器和非揮發性存儲器。揮發性存儲器在電源關閉時立即失去存儲在內的信息；它需要持續的電源供應以維持數據，以SRAM、DRAM為代表。非揮發性存儲器，它的主要特點是在不加電的情況下也能夠長期保持存儲的信息，目前使用的最多的為閃存（Flash）非揮發性存儲器。隨著多媒體應用、移動通信等對大容量、低功耗存儲的需要，非揮發性存儲器，特別是閃存（Flash），所占半導體器件的市場份額變得越來越大，也越來越成為一種相當重要的存儲器類型。

隨著如今數據量不斷地增大，閃存的容量也在急劇上升，大規模、高密度的閃存成了時下應用的主流媒介。而隨著產生的問題就是讀取速度不能滿足應用要求，如何在功耗的允許下顯著提高讀取速度成了首要問題。頁讀取的提出極大改善了讀出速度，但頁讀取數據量的大小受限于功耗，如何處理功耗的分配問題成了當務之急。同時，隨著閃存密度的增大，存儲陣列中金屬線，存儲單元之間的互相耦合問題變得非常顯著，如何快速預充成了提高讀取速度需要面對的首要問題。

發明內容

本發明針對如何快速預充成了提高存儲器讀取速度需要面對的首要問題的需求，提供一種用于大規模快閃存儲器的靈敏放大器。????

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種用于大規?？扉W存儲器的靈敏放大器包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8、NMOS管MN9和旁路電容C；所述PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8和PMOS管MP9的襯底接電源電壓；所述NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8和NMOS管MN9的襯底接地；所述PMOS管MP1的源端接電源電壓，柵端接預充使能信號PREC_A，漏端同時接到NMOS管MN2的漏端和NMOS管MN3的源端，組成第一條預充支路；所述PMOS管MP2和PMOS管MP3組成第二條預充支路，所述PMOS管MP2的源端和襯底同時接電源電壓，漏端接到PMOS管MP3的源端，柵端接到PMOS管MP3的漏端，所述PMOS管MP3的柵端接預充使能信號PREC_B，漏端接到NMOS管MN3的漏端；所述NMOS管MN3的柵端接到PMOS管MP4和NMOS管MN4組成的鉗位反相器的輸出端，源端接到PMOS管MP4和NMOS管MN4組成的鉗位反相器的輸入端，同時接到NMOS管MN1和NMOS管MN2的漏端；所述NMOS管MN1的柵端接放電信號DISC，在無操作時對靈敏放大器電路進行放電；所述NMOS管MN2的柵端接選通信號BANK，使得靈敏放大器與存儲數據通道隔離開，所述NMOS管MN2的源端接到存儲數據通道輸入DATA；所述PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7和PMOS管MP8組成電流鏡像模塊；所述PMOS管MP5和PMOS管MP7柵端連接在一起并外接使能信號EN_SA，所述PMOS管MP5的漏端分別連到PMOS管MP6的源端，所述PMOS管MP7的漏端連到MP8的源端，所述PMOS管MP6和PMOS管MP8的柵端連接在一起并接到PMOS管MP6的漏端，從而將讀取到的數據通道電流鏡像到PMOS管MP6和PMOS管MP8支路上；所述PMOS管MP8的漏端連接到由PMOS管MP9和PMOS管MN5組成的感應輸出反相器的輸入端，感應輸出反相器的輸出端為靈敏放大器的輸出端，同時PMOS管MP8的漏端連接到NMOS管MN6的漏端；所述NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8和NMOS管MN9組成參考電流輸入端的電流鏡像模塊；所述NMOS管MN8的漏端外接輸入參考電流Iref，同時連接到NMOS管MN6和NMOS管MN8的柵端，所述NMOS管MN8的源端連接到NMOS管MN9的漏端和柵端，同時連接到旁路電容C的一端，所述旁路電容C的另一端接地；所述NMOS管MN7和NMOS管MN9的柵端連接到一起，所述NMOS管MN7的漏端連接到NMOS管MN6的源端。