[發明專利]太陽能電池的制作方法無效
| 申請號: | 201110204348.9 | 申請日: | 2011-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN102231412A | 公開(公告)日: | 2011-11-02 |
| 發明(設計)人: | 賴良星;胡雁程;陳人杰;吳振誠;何玄政 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人: | 楊波 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制作方法 | ||
1.一種太陽能電池的制作方法,其特征是,其包括:
提供第一型半導體基板,其具有相對的第一表面以及第二表面;
形成第一金屬層,覆蓋該第二表面;
對該第一表面進行制絨,以形成制絨表面;
在該制絨表面形成第二型半導體層,以于該第一型半導體基板與該第二型半導體層之間形成電性異質接面;以及
在該第二型半導體層上形成前電極,電性連接至該第二型半導體層。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,對該第一表面進行制絨采用濕式蝕刻法。
3.?根據權利要求2所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,該濕式蝕刻法的蝕刻溶液為酸性蝕刻液或堿性蝕刻液。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,該第一金屬層的材質包括鎳,金,銀,?鈦,鈀,鋁鈦銀合金,銀鋁合金,鈦鎳銅合金或鈦鈀銀合金,或上述各材質的迭層結構。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,更包括在對該第一表面進行制絨后移除該第一金屬層,以及形成第二金屬層覆蓋該第二表面。
6.根據權利要求5所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,移除該第一金屬層的方法包括等離子蝕刻法、化學腐蝕法或機械研磨法。
7.根據權利要求5所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,形成該第一金屬層,該前電極以及該第二金屬層的方法包括網板印刷法,濺鍍法,或等離子體化學氣相沉積法。
8.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,形成該第一金屬層的方法包括網板印刷法,濺鍍法,或等離子體化學氣相沉積法。
9.根據權利要求5所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,該第二金屬層的材質包括鎳,金,銀,?鈦,?鈀,鋁鈦銀合金,銀鋁合金,鈦鎳銅合金或鈦鈀銀合金,或上述各材質的迭層結構。
10.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,該第一型半導體基板為P型硅晶圓,在該制絨表面形成該第二型半導體層包括:
由該制絨表面進行磷擴散進入該P型硅晶圓,以于該P型硅晶圓上形成N型硅層以及位于該N型硅層上的磷硅玻璃層,該N型硅層為該第二型半導體層;以及
去除該磷硅玻璃層。
11.?根據權利要求10所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,更包括在對該第一表面進行制絨后移除該第一金屬層,以及形成第二金屬層覆蓋該第二表面。
12.根據權利要求11所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,去除該磷硅玻璃層的步驟與移除該第一金屬層的步驟同時進行。
13.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法,其特征是,更包括形成抗反射層,覆蓋該第二型半導體層,且暴露出該前電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





