[發明專利]一種檢測三聚氰胺的系統及其檢測方法無效
| 申請號: | 201110204343.6 | 申請日: | 2011-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN102288593A | 公開(公告)日: | 2011-12-21 |
| 發明(設計)人: | 姚建銓;邸志剛;張培培;陸穎 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | G01N21/65 | 分類號: | G01N21/65 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 溫國林 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 檢測 三聚 系統 及其 方法 | ||
1.一種檢測三聚氰胺的系統,其特征在于,所述系統包括:半導體激光器、第一非球面透鏡、第二非球面透鏡、第三非球面透鏡、光子晶體光纖、陷波片和光譜儀,
所述光子晶體光纖的纖芯孔中填充有銀納米顆粒,所述半導體激光器發出的785nm的光經所述半導體激光器中的光纖輸出,通過所述第一非球面透鏡和所述第二非球面透鏡的準直聚焦耦合進所述光子晶體光纖,激發產生表面增強拉曼散射信號,然后通過所述第三非球面透鏡對所述表面增強拉曼散射信號進行聚焦,所述陷波片對所述表面增強拉曼散射信號進行過濾,得到過濾后的表面增強拉曼散射信號,所述過濾后的表面增強拉曼散射信號輸入到所述光譜儀中,實現對三聚氰胺的檢測。
2.根據權利要求1所述的一種檢測三聚氰胺的系統,其特征在于,所述半導體激光器為FC-D-785A型半導體激光器。
3.根據權利要求1所述的一種檢測三聚氰胺的系統,其特征在于,所述非球面透鏡型號為354120和354430,并鍍上785nm的增透膜。
4.根據權利要求1所述的一種檢測三聚氰胺的系統,其特征在于,所述光子晶體光纖型號為Air-6-800型空芯光子晶體光纖。
5.根據權利要求1所述的一種檢測三聚氰胺的系統,其特征在于,所述陷波片型號為NF03-785E-25,其陷波帶寬為39nm。
6.一種檢測三聚氰胺的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(1)采用光纖熔接機拉錐方式對光子晶體光纖進行拉錐;
(2)將銀納米顆粒填充到所述光子晶體光纖的纖芯孔中;
(3)半導體激光器發出的785nm的光經所述半導體激光器中的光纖輸出,通過第一非球面透鏡和第二非球面透鏡的準直聚焦耦合進所述光子晶體光纖,激發產生表面增強拉曼散射信號,第三非球面透鏡對所述表面增強拉曼散射信號進行聚焦;
(4)陷波片對所述表面增強拉曼散射信號進行過濾,得到過濾后的表面增強拉曼散射信號;
(5)將所述過濾后的表面增強拉曼散射信號輸入到光譜儀中,通過所述光譜儀實現對三聚氰胺的檢測。
7.根據權利要求6所述的一種檢測三聚氰胺的方法,其特征在于,步驟(1)中的所述采用光纖熔接機拉錐方式對光子晶體光纖進行拉錐具體為:
首先將光子晶體光纖切割成15cm左右數段,在每段的中間部分去掉其涂覆層,然后利用所述光纖熔接機進行拉錐;
設定電極與所述光子晶體光纖的間距d,放電時間以及放電電流,實現所述光子晶體光纖的包層空氣孔塌陷,保持纖芯孔不變。
8.根據權利要求6所述的一種檢測三聚氰胺的方法,其特征在于,所述銀納米顆粒的半徑為38nm、顆粒之間的間距為0.7nm。
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