[發明專利]鋁銅銻相變薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201110204069.2
• 申請日: 2011-07-21
• 公開（公告）號: CN102347444A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 梁廣飛;王陽;吳誼群
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

1.一種鋁銅銻相變薄膜，其特征在于該相變薄膜的成分為AlxCuySbz?，其中：x的取值范圍為1-10?at%，y的取值范圍為在1-40?at%，z的取值范圍為在60-98?at%，該鋁銅銻薄膜（3）是利用磁控濺射薄膜制備設備，經過AlCu合金靶和Sb靶共濺在清潔的基片（1）上制備的，所述的鋁銅銻薄膜（3）的厚度為5-500nm。

2.根據權利要求1所述的鋁銅銻相變薄膜，其特征在于所述的薄膜結構包括：

單層結構，即：鋁銅銻薄膜（3）直接沉積在基片（1）上面；

三層結構，在基片（1）上先后沉積下介質層（2）、鋁銅銻薄膜（3）和上介質層（4）；

根據權利要求2所述鋁銅銻相變薄膜，其特征在于所述的基片（1）是厚度為0.05-3mm的Si，或K9玻璃，或聚碳酸酯。

3.根據權利要求2所述鋁銅銻相變薄膜，其特征在于所述的下介質層（2）和上介質層（4）為厚度為0-100nm的ZnS-SiO₂或SiN，所述的ZnS-SiO₂中ZnS占80at%，SiO₂占20at%，；

5、一種鋁銅銻相變薄膜的制備方法，采用磁控濺射鍍膜機制備，其特征在于該方法包括如下步驟：

（a）基片采用干凈的聚碳酸酯盤基放入磁控濺射鍍膜機的托盤上，后用純度99.9％的高壓氮氣吹干；

（b）把裁好的基片用鑷子固定在磁控濺射儀的樣品托上，然后把樣品托夾持在濺射真空腔里的基片座上，把需要濺射的介質靶材ZnS-SiO₂和共濺的Sb靶和Al_xCu_y合金靶放到相應的靶基座上固定好；調節靶材與基片之間的距離，然后關閉真空腔蓋開始抽真空，直至腔內真空度優于4×10^-4Pa；

（c）進行下層介質膜層ZnS-SiO₂的濺射工作，采用Ar作為濺射氣體，濺射完成后，關閉射頻電源，關閉Ar閥門，打開閘板閥抽氣以去除腔內雜質；

（d）進行共濺相變材料膜層的濺射工作，AlCuSb相變材料薄膜的成分通過選擇AlCu合金靶的化學配比，并固定Sb靶的濺射功率，改變合金靶AlCu的濺射功率的方法來控制；厚度通過改變濺射時間來控制；

采用Ar作為濺射氣體，打開Ar閥門開關向腔內充Ar，通過流量計控制Ar的通入量為80sccm，同時調節磁控濺射儀閘板閥至工作氣壓為0.8Pa，接著打開Al_xCu_y合金靶和Sb靶所對應的直流電源，固定Sb靶材的濺射功率，調節AlCu合金靶材至濺射功率，待功率穩定后，利用計算機程序把裝有樣品的樣品托轉移至預制好的共濺靶位上，并采用計算機程序設定濺射時間8min，進行相變層的濺射工作，濺射完成后，關閉直流電源，關閉Ar閥門，打開閘板閥抽氣以去除腔內雜質；

（e）然后進行上層介質膜層ZnS-SiO₂的濺射工作；最后利用計算機程序使樣品托恢復到原來位置，然后關閉磁控濺射儀，放氣，開腔取出鋁銅銻相變薄膜制品。