[發(fā)明專利]與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的測試結(jié)構(gòu)與方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110202776.8 | 申請日： | 2011-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN102890195A | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 金鋒;王海軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R27/14 | 分類號： | G01R27/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 有源 接觸 電阻 測試 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的測試結(jié)構(gòu)，所述硅基板襯底上生長有同型雜質(zhì)摻雜的有源區(qū)，其特征在于：所述有源區(qū)上形成有至少三組接觸孔陣列，每組接觸孔陣列中的接觸孔數(shù)量不相同，且每組接觸孔陣列中的接觸孔分別通過一根金屬線相連，所述每根金屬線的兩端分別與兩個不同的測試端口連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述相鄰接觸孔陣列之間的距離是相同的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述相鄰的兩組接觸孔陣列之間的距離為兩組接觸孔陣列中相距最近的兩個接觸孔之間的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述有源區(qū)外設有起隔離作用的場氧區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述每組接觸孔陣列中包括至少一個接觸孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底和有源區(qū)均為P型，或者均為N型。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬線為鋁線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述測試結(jié)構(gòu)設置于劃片槽區(qū)域。
9.一種測試與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在與襯底同型的有源區(qū)上形成m組接觸孔陣列，第i組接觸孔陣列中所含接觸孔的數(shù)量依次為Ni，其中m≥3，i＝1、…、m，且各組接觸孔陣列中的接觸孔數(shù)量均不相同；
(2)每組接觸孔陣列中的接觸孔通過一根金屬線引出，第i根金屬線的兩端分別連接兩個不同的測試端口N2i-1、N2i，其中i＝1、…、m，且各測試端口均不相同；
(3)從m組接觸孔陣列中取相鄰的三組接觸孔陣列，依序編號為a、b、c，三組接觸孔陣列的接觸孔數(shù)量分別為Numa、Numb、Numc，且Numa、Numb、Numc互不相同；
(4)以a組接觸孔陣列和b組接觸孔陣列為一組測試對象，在a組接觸孔陣列連接的一個測試端口和b組接觸孔陣列連接的一個測試端口之間加電流，在a組接觸孔陣列連接的另一個測試端口和b組接觸孔陣列連接的另一個測試端口之間通過電壓計測量電壓，得到a組接觸孔陣列到b組接觸孔陣列間的所有電阻值Rab，
Rab＝R接觸孔a+Rab(有源區(qū)+襯底)+R接觸孔b
其中，Rab(有源區(qū)+襯底)是連接整個襯底的電阻，R接觸孔a是a組接觸孔陣列的總電阻，R接觸孔b是b組接觸孔陣列的總電阻；
(5)以b組接觸孔陣列和c組接觸孔陣列為一組測試對象，在b組接觸孔陣列連接的一個測試端口和c組接觸孔陣列連接的一個測試端口之間加電流，在b組接觸孔陣列連接的另一個測試端口和c組接觸孔陣列連接的另一個測試端口之間通過電壓計測量電壓，得到b組接觸孔陣列到c組接觸孔陣列間的所有電阻值Rbc，
Rbc＝R接觸孔b+Rbc(有源區(qū)+襯底)+R接觸孔c
其中，Rbc(有源區(qū)+襯底)是連接整個襯底的電阻，R接觸孔b是b組接觸孔陣列的總電阻，R接觸孔c是c組接觸孔陣列的總電阻；
(6)Rab(有源區(qū)+襯底)與Rbc(有源區(qū)+襯底)是連接整個襯底的電阻，即Rab(有源區(qū)+襯底)＝Rbc(有源區(qū)+襯底)，Rab與Rbc的差值即為a組接觸孔陣列總電阻與c組接觸孔陣列總電阻之差，Rab-Rbc＝R接觸孔a-R接觸孔c；
其中，R接觸孔a＝R接觸孔/Numa，R接觸孔c＝R接觸孔/Numc，R接觸孔為單個接觸孔的電阻值；
得到單個接觸孔的電阻值R接觸孔
R接觸孔＝(Rab-Rbc)×Numa×Numc/(Numc-Numa)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測試與襯底同型的有源區(qū)上接觸孔電阻的方法，其特征在于：所述襯底和有源區(qū)均為P型，或均為N型；所述金屬線為鋁線。
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