[發(fā)明專利]一種激光燒結(jié)制備晶體硅電池背電極的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110202723.6 | 申請日： | 2011-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN102881572A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉瑩 | 申請（專利權(quán)）人： | 劉瑩 |
| 主分類號： | H01L21/268 | 分類號： | H01L21/268;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214213 江蘇省宜興*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 激光 燒結(jié) 制備 晶體 電池 電極 方法 | ||
1.一種激光燒結(jié)制備晶體硅電池背電極的方法，主要包括鍍鋁膜及激光燒結(jié)工序，其特征在于：
所述鍍鋁膜為真空鍍膜，用以形成與晶體硅表面附著力良好的鋁電極；
所述激光燒結(jié)為在真空條件下，用激光對附著鋁電極的晶硅面進(jìn)行燒結(jié)，以形成背表面電場；
所述晶體硅在激光燒結(jié)時具有本底溫度，以加快燒結(jié)過程；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光燒結(jié)制備晶體硅電池背電極的方法，其特征在于所述真空鍍膜為蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1及權(quán)利要求2所述的一種激光燒結(jié)制備晶體硅電池背電極
的方法，其特征在于當(dāng)真空鍍膜采用濺射鍍膜時，其膜厚控制在0.5-1.0μ之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光燒結(jié)制備晶體硅電池背電極的方法，其特征在于當(dāng)真空鍍膜采用蒸發(fā)鍍膜時，其膜厚控制在1.0-2.0μ之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光燒結(jié)制備晶體硅電池背電極的方法，其特征在于激光燒結(jié)采用連續(xù)式激光器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光燒結(jié)制備晶體硅電池背電極的方法，其特征在于激光燒結(jié)的本底真空度范圍為10-10-3pa。
7.根據(jù)權(quán)利要求1及權(quán)利要求6所述的一種激光燒結(jié)制備晶體硅電池背電極的方法，其特征在于激光燒結(jié)時本底溫度為0-500℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、權(quán)利要求6及權(quán)利要求7所述的一種激光燒結(jié)制備晶體硅電池背電極的方法，其特征在于激光燒結(jié)溫度在800-1000℃。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
