[發明專利]磁盤文件前置放大器頻率響應和延時補償

有效

• 申請號: 201110202721.7
• 申請日: 2011-07-19
• 公開（公告）號: CN102339609A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 羅斯·威爾遜
• 申請（專利權）人: LSI公司
• 主分類號: G11B5/455
• 分類號: G11B5/455
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種裝置，包括：

一個或多個讀取磁頭單元電路，被配置為經由一個或多個讀取磁頭從磁介質讀取數據，其中，所述讀取數據存在于放大后的回讀信號中；

一個或多個寫入磁頭單元電路，被配置為經由一個或多個寫入磁頭將數據寫入所述磁介質；以及

回送通道，耦接在所述一個或多個讀取磁頭單元電路與所述一個或多個寫入磁頭單元電路之間。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述回送通道包括：

回送讀取器單元，連接至所述一個或多個讀取磁頭單元電路；變幅電流開關，連接至所述回送讀取器單元；以及

選擇器單元，連接至所述變幅電流開關和所述一個或多個寫入磁頭單元電路。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中，所述回送通道還包括：

回送寫入單元，連接至所述選擇器單元和所述一個或多個寫入磁頭單元電路。

4.根據權利要求2所述的裝置，其中，所述變幅電流開關包括電流路由長尾對。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述回送通道包括：

回送讀取器單元，連接至所述一個或多個讀取磁頭單元電路；以及

回送注入和增益控制電路，連接至所述回送讀取器單元和所述裝置的寫入路徑。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中，所述回送通道還包括：

一對運算跨導放大器，被配置為向所述回送讀取器單元提供共模接地，并在提供給所述一個或多個讀取磁頭單元電路之前清零回送單元通道的輸出。

7.一種裝置，包括：

一個或多個讀取器電路，被配置為從磁介質讀取數據；

一個或多個寫入器電路，被配置為將數據寫入至所述磁介質；以及

回送通道，耦接在所述一個或多個讀取器電路與所述一個或多個寫入器電路之間，其中，所述回送通道使用互補硅鍺BiCMOS處理來實施。

8.一種方法，包括以下步驟：

測量在前置放大器的輸出處的兩個頻率的幅度，同時讀取磁存儲介質的預記錄校準區域；

啟用所述前置放大器的回送模式，并在所述前置放大器的寫入數據線上注入復合雙頻序列；

當所述復合雙頻序列被注入到所述前置放大器的所述寫入數據線上時，記錄在所述前置放大器的輸出處的兩個頻率的幅度；以及

使用(i)當讀取所述預記錄校準區域時測量的幅度、(ii)回送模式中記錄的幅度以及(iii)預定基線回送值來計算校正后的回放幅度。

9.一種裝置，包括：

一個或多個讀取器電路，被配置為從磁介質讀取數據；

一個或多個寫入器電路，被配置為將數據寫入所述磁介質；以及

回送通道，耦接在所述一個或多個讀取器電路與所述一個或多個寫入器電路之間，所述回送通道包括連接至所述一個或多個讀取器電路的回送讀取器單元以及連接至所述回送讀取器單元和所述裝置的寫入路徑的回送注入和增益控制電路，其中，所述回送注入和增益控制電路包括互補雙極折疊級聯電路。

10.一種裝置，包括：

一個或多個讀取器電路，被配置為從磁介質讀取數據；

一個或多個寫入器電路，被配置為將數據寫入所述磁介質；以及

回送通道，耦接在所述一個或多個讀取器電路與所述一個或多個寫入器電路之間，其中，所述回送通道包括：連接至所述一個或多個讀取器電路的回送讀取器單元以及一對運算跨導放大器，所述運算跨導放大器被配置為向所述回送讀取器單元提供共模接地，并在出現在所述一個或多個讀取器電路之前清零所述回送通道的輸出。