[發(fā)明專利]去除光感顯影底部抗反射層缺陷的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110202687.3
• 申請日: 2011-07-19
• 公開（公告）號: CN102890402A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 舒強;顧一鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種去除光感顯影底部抗反射層PS-DBARC缺陷的方法，該方法包括：

在晶片的要刻蝕層涂覆PS-DBARC后，對所述PS-DBARC進行預曝光；

在所述PS-DBARC上涂覆光刻膠層后，進行曝光和顯影，在光刻膠層和PS-DBARC形成要刻蝕圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述PS-DBARC為400埃～1200埃。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述預曝光的曝光劑量為所述光刻膠層進行曝光采用的劑量的20％～80％，曝光條件與所述光刻膠層進行曝光條件相同。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述要刻蝕層為晶片的襯底或晶片的層間介質(zhì)層。