[發明專利]一種非圖案化表面缺陷的離線檢測方法有效
| 申請號： | 201110202592.1 | 申請日： | 2011-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN102890094A | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發明（設計）人： | 胡華勇;林益世 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/95 | 分類號： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 圖案 表面 缺陷 離線 檢測 方法 | ||
1.一種非圖案化表面缺陷的離線檢測方法，提供具有襯底或者在所述襯底上具有非圖案化薄膜或介質層的晶片，該方法包括：
所述襯底表面或者所述非圖案化薄膜或介質層表面形成薄膜層，作為半導體樣品，所述薄膜層對所述非圖案化表面缺陷離線檢測中入射光的折射率高于真空；
用光學檢測法檢測所述半導體樣品中所述襯底或者非圖案化薄膜或介質層的表面缺陷。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜層對所述入射光的折射率大于等于1.5。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜層對所述入射光的吸收系數小于等于0.01。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜層的厚度范圍是50埃到5000埃。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜層的本征缺陷個數小于等于100個。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜層是硅化物或者有機物。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅化物用化學氣相沉積、高溫化學氣相沉積或者等離子體增強化學氣相沉積；所述有機物涂覆在所述襯底或者非圖案化薄膜或介質層表面。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，該方法還包括：在所述化學氣相沉積、高溫化學氣相沉積或者等離子體增強化學氣相沉積硅化物之后濕法清洗所述硅化物的表面；或者在所述涂覆有機物之后烘焙所述有機物。
9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅化物是二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述有機物是光刻膠或者底部抗反射層。
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