[發(fā)明專利]分離裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110202517.5 | 申請(qǐng)日： | 2011-07-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102335639A | 公開（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 石黑裕隆;吉田干 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類號(hào)： | B03C5/02 | 分類號(hào)： | B03C5/02 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 黨曉林;王小東 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 分離 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種將含有硅屑的廢液分離為硅屑和不含硅的液體的分離裝置，其特征在于，
該分離裝置包括：貯留所述廢液的水槽；和配置于所述水槽中的硅分離機(jī)構(gòu)，
所述硅分離機(jī)構(gòu)包括：
吸附板，所述吸附板帶正電以在所述廢液中吸附帶負(fù)電的所述硅屑；以及
硅穿過限制構(gòu)件，所述硅穿過限制構(gòu)件包括硅穿過限制板，該硅穿過限制板與所述吸附板對(duì)置地配設(shè)，并且該硅穿過限制板僅容許所述廢液的液體穿過而限制帶負(fù)電的所述硅屑的穿過，
所述硅穿過限制構(gòu)件包括：
殼體，所述殼體分隔出穿過了所述硅穿過限制板的液體所存在的區(qū)域；以及
運(yùn)出部，所述運(yùn)出部配置在該殼體內(nèi)，將穿過了所述硅穿過限制板的所述廢液運(yùn)出到所述水槽外，
并且所述分離裝置具有電場(chǎng)形成構(gòu)件，該電場(chǎng)形成構(gòu)件使所述吸附板為陽(yáng)極，使所述硅穿過限制板為陰極，從而在所述吸附板和所述硅穿過限制板之間形成電場(chǎng)。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社迪思科，未經(jīng)株式會(huì)社迪思科許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110202517.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
