[發(fā)明專利]一種單晶爐抽氣孔堵塞的處理方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110202469.X
• 申請(qǐng)日: 2011-07-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102251274A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐建軍;錢榮林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江榮馬電子科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/00
• 分類號(hào): C30B15/00;C30B35/00
• 代理公司: 杭州天正專利事務(wù)所有限公司 33201
• 代理人: 舒良

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種單晶爐抽氣孔堵塞的處理方法，尤其是單晶爐中下保溫筒上的抽氣孔。

背景技術(shù)

在單晶直拉的等晶過(guò)程中，單晶爐內(nèi)溫度在1420℃左右，爐內(nèi)會(huì)產(chǎn)生大量的粉塵、氧化物和其它雜質(zhì)，它們會(huì)沉積下來(lái)，一旦堵塞單晶爐下保溫筒上的抽氣孔，會(huì)影響成晶，增加能耗，降低成品率。通常情況下，需要在該爐直拉完后，采用停爐拆卸，清理完沉積物后再重新開(kāi)爐的辦法。這樣，既耗能，又費(fèi)時(shí)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供能在等晶過(guò)程中直接排除抽氣孔處的沉積物的一種單晶爐抽氣孔堵塞的處理方法。

本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：一種單晶爐抽氣孔堵塞的處理方法，其特征在于當(dāng)?shù)染н^(guò)程中出現(xiàn)抽氣孔堵塞時(shí)，采取以下步驟排除抽氣孔處的沉積物：

A、降下單晶爐內(nèi)溫度至硅的結(jié)晶溫度。

B、關(guān)閉單晶爐主室的電磁球閥；(電磁球閥的作用是什么)

C、將單晶爐內(nèi)的氣體壓力從600～800帕升至8萬(wàn)～9.5萬(wàn)帕，然后關(guān)閉進(jìn)氣口；

D、打開(kāi)單晶爐主室的電磁球閥，使堵塞在抽氣孔中的沉積物被氣流沖走；

E、打開(kāi)進(jìn)氣口，重新調(diào)節(jié)單晶爐內(nèi)的氣體壓力至600～800帕，同時(shí)升高單晶爐內(nèi)溫度至硅的溶點(diǎn)溫度。

所述的一種單晶爐抽氣孔堵塞的處理方法，應(yīng)在打開(kāi)單晶爐主室的電磁球閥前敲打抽氣管或使之震動(dòng)，使沉積物松動(dòng)。

采用本發(fā)明方法，可以在不停爐的情況下直接排除抽氣孔處的粉塵、氧化物和其它雜質(zhì)等沉積物，減少了能耗，提高了成品率和生產(chǎn)效率。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

實(shí)施例

當(dāng)?shù)染н^(guò)程中出現(xiàn)抽氣孔堵塞時(shí)，采取以下步驟排除抽氣孔處的沉積物：

一、將單晶爐內(nèi)溫度從1420℃降至1200℃，即從硅的溶點(diǎn)溫度降至結(jié)晶溫度。

二、關(guān)閉單晶爐主室的電磁球閥；

三、將單晶爐內(nèi)的惰性氣體(如氬氣)壓力從600～800帕升至8萬(wàn)～9.5萬(wàn)帕，然后關(guān)閉惰性氣體(如氬氣)進(jìn)氣口；

四、用木棒等軟質(zhì)重物敲打下保溫筒處的抽氣管，或采用震動(dòng)設(shè)備使下保溫筒處的抽氣管輕微震動(dòng)，使沉積物松動(dòng)。

五、打開(kāi)單晶爐主室的電磁球閥，使堵塞在抽氣孔中的沉積物被惰性氣體(如氬氣)氣流沖走；

五、打開(kāi)惰性氣體(如氬氣)進(jìn)氣口，重新調(diào)節(jié)單晶爐內(nèi)的惰性氣體(如氬氣)的壓力至600～800帕，同時(shí)升高單晶爐內(nèi)溫度至硅的溶點(diǎn)溫度即可。

在上述中，步驟四也可以在步驟三、步驟二、步驟一之前進(jìn)行。