[發明專利]無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池及其硫化鋅緩沖層薄膜的制備方法無效
| 申請號: | 201110202078.8 | 申請日: | 2011-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN102270699A | 公開(公告)日: | 2011-12-07 |
| 發明(設計)人: | 盧蘭蘭;劉壯;肖旭東 | 申請(專利權)人: | 中國科學院深圳先進技術研究院 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C03C17/36 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無鎘銅銦鎵硒 薄膜 太陽能電池 及其 硫化鋅 緩沖 制備 方法 | ||
1.一種無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、在襯底上依次形成背電極和銅銦鎵硒光吸收層,形成樣片;
步驟二、將二水合醋酸鋅溶解于無水乙醇中,再加入穩定劑,加熱形成溶膠;
步驟三、將所述樣片浸入所述溶膠中,浸漬時間為5~10秒,然后將所述樣片從所述溶膠中提起;
步驟四、將所述樣片在100~200℃下干燥30分鐘,使所述樣片表面形成氧化鋅薄膜;
步驟五、將所述樣片放入硒化室內在硫化氫的氣氛下進行退火處理,將所述氧化鋅薄膜轉化為硫化鋅緩沖層薄膜;及
步驟六、在所述硫化鋅緩沖層薄膜上依次形成阻擋層及窗口層,得到所述無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于:步驟二中,所述穩定劑為乙醇胺。
3.根據權利要求1所述的無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于:步驟二中,所述加熱的溫度為60~70℃。
4.根據權利要求1所述的無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于:步驟二中,所述二水合醋酸鋅在所述溶膠中的濃度為0.1~0.8mol/L。
5.根據權利要求1所述的無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于:步驟四中,所述氧化鋅薄膜的厚度為30~200nm。
6.根據權利要求1所述的無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于:步驟五中,退火處理的溫度為400~500℃,時間為10~60分鐘。
7.一種硫化鋅緩沖層薄膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
將二水合醋酸鋅溶解于無水乙醇中,再加入穩定劑,加熱形成溶膠;
將樣片浸入所述溶膠中,浸漬時間為5~10秒,然后將所述樣片從所述溶膠中提起;
將所述樣片在100~200℃下干燥30分鐘,使所述樣片表面形成氧化鋅薄膜;及
將所述樣片在硫化氫的氣氛下進行退火處理,將所述氧化鋅薄膜轉化為硫化鋅緩沖層薄膜。
8.根據權利要求7所述的硫化鋅緩沖層薄膜的制備方法,其特征在于:所述穩定劑為乙醇胺。
9.根據權利要求7所述的硫化鋅緩沖層薄膜的制備方法,其特征在于:所述加熱的溫度為60~70℃。
10.根據權利要求7所述的硫化鋅緩沖層薄膜的制備方法,其特征在于:所述二水合醋酸鋅在所述溶膠中的濃度為0.1~0.8mol/L。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





