[發(fā)明專利]三維電路的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110202041.5
• 申請(qǐng)日: 2011-07-19
• 公開（公告）號(hào): CN102892252A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡泉凌;陳譽(yù)尉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)滔電子有限公司;胡泉凌
• 主分類號(hào): H05K3/00
• 分類號(hào): H05K3/00;H05K3/06;H05K3/38;H01Q1/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京高默克知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11263
• 代理人: 王業(yè)暉

1.一種三維電路的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)提供一三維立體結(jié)構(gòu)的本體；

(2)對(duì)上述本體進(jìn)行表面前處理；

(3)對(duì)上述本體表面進(jìn)行金屬化處理，沉積形成一金屬薄膜層；

(4)對(duì)上述金屬薄膜層表面進(jìn)行光阻涂布處理，形成一光阻保護(hù)層；

(5)對(duì)上述光阻保護(hù)層進(jìn)行曝光/顯影處理，形成一圖案化光阻保護(hù)層；

(6)對(duì)顯露的金屬薄膜層進(jìn)行蝕刻處理，形成圖案化線路層；

(7)剝除上述圖案化線路層上的光阻保護(hù)層；以及對(duì)上述圖案化線路層表面進(jìn)行化學(xué)鍍層處理，形成一線路增厚層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述本體選自于天線、LED承載座、電路基板、連接器、電子裝置或方向盤的其中一種立體結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述本體是利用射出成型或燒結(jié)成型的其中一種方法所制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述本體選自于高分子材料或陶瓷材料的其中一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述高分子材料設(shè)為聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(PET)、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺(PA6/6T)、尼龍(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一種或以上復(fù)合材料的其中一種；以及上述陶瓷材料設(shè)為氧化鋁、氧化鋯、氮化硅、碳化硅、鈦酸鋇的其中一種或以上復(fù)合材料的其中一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述金屬化處理，是利用濺鍍或蒸鍍方式，使金屬沉積于本體表面形成金屬薄膜層；上述沉積金屬選自于鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、錫(Sn)、銅(Cu)的其中一種或以上復(fù)合金屬的其中一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述金屬化處理，是利用亞錫離子敏化及鈀離子活化方式使天線本體表面活化形成金屬薄膜層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述光阻涂布處理，是將感光液態(tài)光阻以浸涂或噴涂的方式，對(duì)金屬薄膜層的表面涂布一光阻保護(hù)層，上述光阻保護(hù)層的感光液態(tài)光阻選自于正型或負(fù)型光阻的其中一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述曝光/顯影處理是利用雷射或紫外光源，依特定立體曝光線路圖形的區(qū)域或位置直接照射于光阻保護(hù)層上，又上述立體曝光線路圖形選自于圖案化立體光罩或直接掃瞄圖形的其中一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述化學(xué)鍍層金屬選自于鎳(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉻(Cr)、鈀(Pd)的其中一種或以上復(fù)合金屬的其中一種。

11.一種三維電路的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)提供一三維立體結(jié)構(gòu)的本體；

(2)對(duì)上述本體進(jìn)行表面前處理；

(3)對(duì)上述本體表面進(jìn)行涂布處理，形成一光阻保護(hù)層；

(4)對(duì)上述光阻保護(hù)層進(jìn)行曝光/顯影處理，形成一圖案化光阻保護(hù)層；

(5)對(duì)上述本體表面進(jìn)行金屬化處理，形成一圖案化線路區(qū)域；

(6)剝除上述圖案化光阻保護(hù)層；以及

(7)對(duì)上述圖案化線路區(qū)域進(jìn)行化學(xué)鍍層處理，形成一線路增厚層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述本體選自于天線、LED承載座、電路基板、連接器、電子裝置或方向盤的其中一種立體結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述本體是利用射出成型或燒結(jié)成型的其中一種方法所制成。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維電路的制造方法，其特征在于：所述本體選自于高分子材料或陶瓷材料的其中一種。