[發(fā)明專利]利用分配的密封劑的半導(dǎo)體發(fā)光器件的封裝及其封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110201851.9
• 申請(qǐng)日: 2005-09-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102280567A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P.安德魯斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 克里公司
• 主分類號(hào): H01L33/52
• 分類號(hào): H01L33/52;H01L33/54;H01L33/58
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;李家麟

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件以及半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備方法，更具體地涉及用于半導(dǎo)體發(fā)光器件的封裝和封裝方法。?

背景技術(shù)

發(fā)光二極管和激光二極管是眾所周知的一旦施加足夠的電壓就能夠產(chǎn)生光的固態(tài)電子器件。發(fā)光二極管和激光二極管通常可以稱為發(fā)光器件（“LED”）。發(fā)光器件通常包括在例如藍(lán)寶石、硅、碳化硅、砷化鎵等襯底上生長(zhǎng)的外延層上形成的p-n結(jié)。由該LED產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)分布通常取決于制成該p-n結(jié)的材料和組成該器件有源區(qū)的薄外延層的結(jié)構(gòu)。?

典型地，LED包括襯底、形成在襯底上的n型外延區(qū)和形成在n型外延區(qū)上的p型外延區(qū)（反之亦然）。為了容易向該器件施加電壓，在器件的p型區(qū)（典型地，暴露的p型外延層）上形成陽(yáng)極歐姆接觸和在器件的n型區(qū)上（例如襯底或暴露的n型外延層）形成陰極歐姆接觸。?

為了將LED用于電路中，已經(jīng)知道將LED封入封裝，以提供周圍環(huán)境和/或機(jī)械保護(hù)、顏色選擇、聚焦等。LED封裝還包括用來(lái)將LED芯片電連接到外部電路的裝置，例如，電導(dǎo)線或跡線。在圖1A示出的典型封裝10中，LED?12通過(guò)焊料鍵合或?qū)щ姯h(huán)氧樹(shù)脂的方式安裝在反射杯13上。一個(gè)或多個(gè)引線鍵合將LED?12歐姆接觸連接到導(dǎo)線15A、15B，導(dǎo)線15A、15B可以附著到反射杯13或與反射杯13是整體的。該反射杯可以填充包含例如磷的波長(zhǎng)變換材料的密封劑材料16。LED發(fā)射的第一波長(zhǎng)的光可以被磷吸收，磷可以響應(yīng)發(fā)射第二波長(zhǎng)的光。然后將整個(gè)組件密封在透明的保護(hù)樹(shù)脂14中，樹(shù)脂14可以鑄模成透鏡的形狀，以校準(zhǔn)由LED芯片12發(fā)射的光。雖然反射杯可將光引導(dǎo)在向上的方向上，但當(dāng)光反射時(shí)可能產(chǎn)生光學(xué)損耗（即，一些光可以被反射器杯吸收，而沒(méi)有被反射）。?

在圖1B示出的另一常規(guī)封裝20中，多個(gè)LED芯片22被安裝到印刷電路板（PCB）載體23上。在LED?22上的歐姆接觸和PCB?23上的電跡線25A、25B之間制造一個(gè)或多個(gè)引線鍵合連接。然后用一滴透明樹(shù)脂24覆蓋每個(gè)安裝的LED?22，樹(shù)脂24可以對(duì)該芯片提供環(huán)境和機(jī)械保護(hù)，同時(shí)也用作透鏡。然后可以通過(guò)將PCB載體23鋸成每個(gè)都包含一個(gè)或多個(gè)LED芯片22的小方塊，而將各自封裝的LED?22分開(kāi)。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供用于安裝LED的下底座，該下底座包括具有上表面的襯底，襯底上表面上的配置來(lái)接收LED芯片的管芯附著墊，襯底上的第一彎月形控制特征圍繞著管芯附著墊并限定襯底上表面的第一密封區(qū)，襯底上的第二彎月形控制特征圍繞著第一密封區(qū)并限定襯底上表面的第二密封區(qū)。在一些實(shí)施例中，第一和第二彎月形控制特征與管芯附著墊基本共面。?

在其它實(shí)施例中，該襯底是印刷電路板（PCB）。該管芯附著墊和第一與第二彎月形控制特征可在該襯底上形成為金屬跡線。在一些實(shí)施例中，彎月形控制特征可包括與管芯附著墊不同的材料。例如，該彎月形控制特征可包括例如阻焊材料和/或聚酰亞胺等的聚合物。在一些實(shí)施例中，管芯附著墊和第一與第二彎月形控制特征包括相同的材料。此外，第一和/或第二彎月形控制特征可包括直接形成在襯底上的鍍銅或其它金屬的膜。第一和/或第二彎月形控制特征可包括襯底上的圖案化特征的角。此外，該管芯附著墊可包括金屬跡線上的金屬疊層。?

在本發(fā)明的另外實(shí)施例中，襯底上的引線鍵合墊設(shè)置在第二密封區(qū)內(nèi)。該引線鍵合墊可設(shè)置在第一密封區(qū)內(nèi)。該襯底可包括與襯底的上表面相對(duì)的下表面，并且該下底座可進(jìn)一步包括襯底下表面上的電極。導(dǎo)電通孔可穿過(guò)該襯底從該電極向管芯附著墊延伸。此外，導(dǎo)電通孔可穿過(guò)該襯底從該電極向引線鍵合墊延伸。?

在其它實(shí)施例中，電極可在襯底的上表面上。該電極可由與第一和第二彎月形控制特征相同的材料形成。此外，導(dǎo)電通孔可穿過(guò)該襯底從下電極向襯底上表面上的電極延伸。?

在再另外的實(shí)施例中，下底座還包括設(shè)置在第一密封區(qū)內(nèi)且圍繞管芯附著墊的第三彎月形控制特征。該第三彎月形控制特征可限定第一密封區(qū)內(nèi)的第三密封區(qū)。第一彎月形控制特征和第三彎月形控制特征可一起限定圍繞第三密封區(qū)的第一密封區(qū)中的區(qū)域。被第一彎月形控制特征和第三彎月形控制特征限定的第一密封區(qū)的區(qū)域可以是環(huán)形的。?