[發(fā)明專利]介質(zhì)層的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110201313.X | 申請日： | 2011-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN102891080A | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄧浩;張彬 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 介質(zhì) 形成 方法 | ||
1.一種介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，包括步驟：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層至少分兩次沉積形成，每次沉積預(yù)定厚度；
在每次沉積后均進(jìn)行碳處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述碳處理為含碳等離子體處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述含碳等離子體處理采用包含CXHY的氣體，含量為400～800sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于：所述含碳等離子體處理的氣體還包含氦氣，含量為2000～3000sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述含碳等離子體處理采用的溫度為350℃～400℃，時間為1～2分鐘，射頻功率為800～1200W。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述預(yù)定厚度為800埃～1000埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述介質(zhì)層為超低k介質(zhì)層，介電常數(shù)為2.2～2.6。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述超低k介質(zhì)層的材料為SiCOH。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于：形成介質(zhì)層的方法為化學(xué)氣相沉積法。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
