[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201110201150.5
• 申請日: 2011-07-12
• 公開（公告）號: CN102332512A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 崔正鉉;曹賢敬;閔福基
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.一種發光器件，包括：

導電支撐構件；

在所述導電支撐構件上的第一導電層；

在所述第一導電層上的第二導電層；

在所述第一導電層和所述第二導電層之間的絕緣層；和

發光結構，所述發光結構包括在所述第二導電層上的第二半導體層、第一半導體層和在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的有源層，所述第一半導體層具有第一表面區域和第二表面區域，

其中所述第一導電層包括通過所述第二導電層、所述第二半導體層和所述有源層的至少一個導電通孔，并且所述至少一個導電通孔的第一表面設置于所述第一半導體層中，

其中所述絕緣層基本圍繞所述導電通孔的側壁，

其中所述第一半導體層的所述第一表面包括第一表面區域、第二表面區域和設置在所述第一表面區域和所述第二表面區域之間的凹陷，所述凹陷具有底表面，其中所述凹陷與所述第一半導體層的所述第二表面對準，并且所述至少一個導電通孔的所述第一表面與所述第一半導體層的所述第一表面區域對準，并且

其中所述第一半導體層的所述第一表面區域具有表面粗糙并且所述凹陷的所述底表面具有表面粗糙。

2.根據權利要求1的發光器件，其中所述導電通孔具有傾斜的表面。

3.根據權利要求1的發光器件，進一步包括位于所述導電通孔的側壁和形成在所述導電通孔的側壁上的絕緣層之間的反射層。

4.根據權利要求3的發光器件，其中所述反射層包括Ag、Al、Pt、Ni、Pt、Pd、Au、Ir或者透明導電氧化物中的至少一種，并且其中所述透明導電氧化物包括ITO或者GZO中的至少一種。

5.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中設置于所述第一半導體層中的所述導電通孔的第一表面具有大于所述導電通孔的底表面的面積。

6.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中所述第二導電層包括至少一個暴露區域以形成與所述第二半導體層的界面，并且其中所述發光器件進一步包括在所述第二導電層的暴露區域上的電極焊盤。

7.根據權利要求6的發光器件，其中所述電極焊盤設置在所述發光器件的角部中。

8.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，進一步包括形成在所述發光結構的側壁上的鈍化層，所述鈍化層用于防止電流的泄漏。

9.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中所述絕緣層和所述鈍化層分別形成為包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiO_xN_y、Si_xN_y)、金屬氧化物(Al₂O₃)或者氟化物基化合物中的至少一種。

10.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中所述導電支撐構件包括Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se或者GaAs中的至少一種。

11.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中所述第一導電層包括Al、Au、Pt、Ti、Cr或者W中的至少一種。

12.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中所述第二導電層反射來自所述有源層的光。

13.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中所述第二導電層包括Ag、Al、Pt、Ni、Pt、Pd、Au、Ir或者透明導電氧化物中的至少一種，并且其中所述透明導電氧化物包括ITO或者GZO中的至少一種。

14.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中所述導電通孔的所述第一表面的一部分具有表面粗糙。

15.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中所述至少一個導電通孔包括第一導電通孔和第二導電通孔，并且所述第一導電通孔和所述第二導電通孔之間的距離是5μm到50μm。

16.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中從所述第一半導體層的所述第二表面到所述凹陷的所述底表面的距離是所述第一半導體層的厚度的1/2到2/3。

17.根據權利要求1到4中的任何一項的發光器件，其中所述凹陷的所述底表面的直徑是5μm到50μm。