[發明專利]一種優先透過碳酸二甲酯的滲透汽化膜的制備方法

無效

• 申請號: 201110200845.1
• 申請日: 2011-07-18
• 公開（公告）號: CN102350233A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 李繼定;王蕾;秦琳;鄭冬菊;陳劍
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: B01D71/70
• 分類號: B01D71/70;B01D67/00;B01D69/12;B01D69/10
• 代理公司: 西安智大知識產權代理事務所 61215
• 代理人: 賈玉健

1.一種優先透過碳酸二甲酯的滲透汽化膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、納米SiO₂的疏水修飾

將納米SiO₂溶于有機溶劑，配制質量濃度為5％-30％的溶液，攪拌分散，向溶液中滴加硅烷偶聯劑，硅烷偶聯劑的用量是SiO₂質量的10％-50％，在30℃-100℃攪拌6-36h，過濾后用有機溶劑洗滌，在100℃-300℃下烘干，制得疏水納米SiO₂；

步驟二、疏水納米SiO₂填充加成型PDMS鑄膜液的制備

將乙烯基聚硅氧烷(Vi-PDMS)、交聯劑含氫硅油(H-PDMS)按乙烯基摩爾數比硅氫基團摩爾數為1∶0.8-1∶2混合攪拌均勻，溶于有機溶劑中，乙烯基聚硅氧烷(Vi-PDMS)與有機溶劑的質量比為1∶0.5-1∶2，，加入疏水納米SiO₂，疏水納米SiO₂的質量與乙烯基聚硅氧烷(Vi-PDMS)的質量比為2-40∶100，攪拌均勻，加入催化劑鉑(0)-1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷，催化劑鉑(0)-1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷的質量與Vi-PDMS的質量比為0.3×10^-4-1×10^-4∶1，制得鑄膜液；

步驟三、疏水納米SiO₂填充加成型PDMS復合膜的制備

用步驟二中的鑄膜液在多孔超濾底膜上刮膜，室溫晾干12h，并在烘箱中保持80℃-120℃烘干4-10小時，使其完全交聯，制得滲透汽化膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟一中所述的有機溶劑為甲苯、正庚烷、正己烷、環己烷或丙酮中的任意一種。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟一中所述的硅烷偶聯劑是三甲基氯硅烷、三乙基氯硅烷、辛基三氯硅烷、十二烷基三氯硅烷、十六烷基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷或辛基三甲氧基硅烷中的一種。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟二中所述的乙烯基聚硅氧烷，其粘度為20000mPas-100000mPas，乙烯基含量為0.025mmol/g-0.4mmol/g。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟二中所述的交聯劑含氫硅油，其硅氫基團含量為2mmol/g-8mmol/g。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟二中所述的有機溶劑是甲苯、正庚烷、正己烷或環己烷中的任意一種。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟三中所述的多孔超濾底膜是聚偏氟乙烯(PVDF)、聚醚酰亞胺(PEI)或聚砜(PS)中的任意一種。