[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110200698.8
• 申請(qǐng)日: 2011-07-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102891101A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鳴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，且在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成有源/漏區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成介電層，且在所述介電層中形成銅金屬互連線；

在所述介電層以及銅金屬互連線上形成銅擴(kuò)散阻擋層，形成所述銅擴(kuò)散阻擋層的前體材料包括乙炔，所述乙炔可以將氫固定于所述銅擴(kuò)散阻擋層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述銅擴(kuò)散阻擋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述銅擴(kuò)散阻擋層的前體材料還包括三甲基硅烷和氨氣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，乙炔的流量為50-600sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，三甲基硅烷的流量為100-1000sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，氨氣的流量為100-2000sccm。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用氦氣作為所述化學(xué)氣相沉積的載氣。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，氦氣的流量為500-5000sccm。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積過(guò)程是在壓力1-7Torr，功率50-300W的條件下進(jìn)行的。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積的時(shí)間為10-100s。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述柵極介電層為柵氧化層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電層為具有低介電常數(shù)的材料層。