[發(fā)明專(zhuān)利]一種晶體硅太陽(yáng)能電池p型硅表面的鈍化層及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110200539.8
• 申請(qǐng)日: 2011-07-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102254960A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬(wàn)青;竺立強(qiáng);龔駿
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0216
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池p型硅表面的鈍化層，包括p型硅片的背場(chǎng)鈍化層與n型硅片的p型前發(fā)射極表面鈍化層，其特征是：所述的鈍化層是AlN薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池p型硅表面的鈍化層，其特征是：所述的鈍化層的厚度為20nm～60nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池p型硅表面鈍化層的制備方法，其特征是：包括如下步驟：

步驟1：按照晶體硅太陽(yáng)能電池的工藝在p型硅片或n型硅片擴(kuò)散制備PN結(jié)；

步驟2：采用磁控濺射技術(shù)，以Al作為靶材，NH₃作為反應(yīng)氣源，Ar氣作為等離子體增強(qiáng)氣，在經(jīng)步驟1處理的晶體硅襯底的p型硅表面沉積AlN薄膜作為鈍化層；或者

采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，以三甲基鋁作為Al源，NH₃作為氮化源，氮?dú)饣蛘邭鍤庾鳛锳l源的載氣，在步驟1得到的p型硅表面沉積AlN薄膜鈍化層；

步驟3：將步驟2處理后的p型硅片或n型硅片進(jìn)行熱處理，以激活鈍化層的鈍化效果。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體硅太陽(yáng)能電池p型硅表面鈍化層的制備方法，其特征是：所述的步驟2中，沉積的AlN薄膜的厚度為20nm～60nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體硅太陽(yáng)能電池p型硅表面鈍化層的制備方法，其特征是：所述的步驟3中，熱處理溫度為400℃～500℃，熱處理時(shí)間為10min～30min。