[發明專利]提高鐵皮石斛原球莖增殖倍數的方法有效
| 申請號: | 201110200498.2 | 申請日: | 2011-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN102265788A | 公開(公告)日: | 2011-12-07 |
| 發明(設計)人: | 徐忠傳;沈宗根;郁達 | 申請(專利權)人: | 常熟理工學院 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 常熟市常新專利商標事務所 32113 | 代理人: | 朱偉軍 |
| 地址: | 215500 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 鐵皮 石斛 球莖 增殖 倍數 方法 | ||
1.一種提高鐵皮石斛原球莖增殖倍數的方法,其特征在于包括以下步驟:
A)配制培養基,在培養容器中配制培養基,并且將該培養基高溫滅菌,得到盛有培養基的培養容器;
B)接種,將母瓶鐵皮石斛原球莖0.5g或者將由鐵皮石斛原球莖繼代培養后得到的原球莖0.5g接種于盛有培養基的培養容器內,得到培養基接種培養容器;
C)磁處理,將培養基接種培養容器置于磁場中磁處理,控制磁處理時間和磁感應強度,得到磁處理的培養基接種培養容器;
D)增殖培養,將磁處理的培養基接種培養容器置于培養室中增殖培養,并且控制培養室的培養溫度、光照度和光照時間,得到重量增殖倍數為3-9倍的鐵皮石斛原球莖。
2.根據權利要求1所述的提高鐵皮石斛原球莖增殖倍數的方法,其特征在于步驟A)中所述的培養基為:1/2?MS+NAA0.2-0.4mg/L+6-BA?0.8-1?mg/L?+KT?0.8-1?mg/L+蔗糖20-40g/L+瓊脂7-9g/L+粉末活性碳1-3g/L,pH5.6-5.8;所述的高溫滅菌是將所述培養基放在高壓滅菌鍋內將溫度升至115-125℃,壓力為0.07-0.135MPa,并且維持20-25min后冷卻至室溫。
3.根據權利要求1所述的提高鐵皮石斛原球莖增殖倍數的方法,其特征在于步驟B)中所述的母瓶鐵皮石斛原球莖是取鐵皮石斛沒開裂的蒴果,先用質量百分比濃度為75%乙醇擦拭表面,再放入質量百分比濃度為0.1%-0.2%的氯化汞溶液中浸泡7-12min,然后用滅菌水清洗,而后剖開蒴果,取其種胚并將種胚接種在改良的MS培養基上培養直至長出的原球莖;改良的MS培養基是指在MS培養基中將NH4NO3減半使用;所述的滅菌水是指將蒸餾水或普通自來水置于高壓滅菌鍋內升溫至115-125℃,壓力為0.07-0.135MPa,并且維持20-25min,再經冷卻至室溫所得到的水;所述的清洗的次數為3次、4次或5次。
4.根據權利要求1所述的提高鐵皮石斛原球莖增殖倍數的方法,其特征在于步驟C)中所述的控制磁處理時間是將磁處理時間控制為60-900min,所述的控制磁感應強度是將磁感應強度控制為6-25mT。
5.根據權利要求1所述的提高鐵皮石斛原球莖增殖倍數的方法,其特征在于步驟D)中所述的的培養室中增殖培養的時間為30-60天;所述的控制培養室的培養溫度是將溫度控制為20-25℃,所述的控制光照度是將光照度控制為1000-2000LUX,所述的控制光照時間是將光照時間控制為12h/天。
6.一種提高鐵皮石斛原球莖增殖倍數的方法,其特征在于包括以下步驟:
A)配制培養基,在培養容器中配制培養基,并且將該培養基高溫滅菌,得到盛有含四氧化三鐵的培養基的培養容器;
B)接種,將母瓶鐵皮石斛原球莖0.5g或者將由鐵皮石斛原球莖繼代培養后得到的原球莖0.5g接種于盛有含四氧化三鐵的培養基的培養容器內,得到含四氧化三鐵的培養基接種培養容器;
C)磁處理,將含四氧化三鐵的培養基接種培養容器置于磁場中磁處理,控制磁處理時間和磁感應強度,得到磁處理的含四氧化三鐵的培養基接種培養容器;
D)增殖培養,將磁處理的含四氧化三鐵的培養基接種培養容器置于培養室中增殖培養,并且控制培養室的培養溫度、光照度和光照時間,得到重量增殖倍數為3-8.5倍的鐵皮石斛原球莖。
7.根據權利要求6所述的提高鐵皮石斛原球莖增殖倍數的方法,其特征在于步驟A)中所述的培養基為:1/2?MS+NAA0.2-0.4mg/L+6-BA?0.8-1?mg/L?+KT?0.8-1?mg/L+四氧化三鐵(Fe3O4)2-6g/L?+蔗糖20-40g/L+瓊脂7-9g/L,pH5.6-5.8;所述的高溫滅菌是將所述培養基放在高壓滅菌鍋內將溫度升至115-125℃,壓力為0.07-0.135MPa,并且維持20-25min后冷卻至室溫。
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