[發(fā)明專利]一種改進(jìn)型寬帶自偏置達(dá)林頓線性放大器電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110199054.1 | 申請日: | 2011-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN102324897A | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭遠(yuǎn);吳健;錢峰;陳新宇;應(yīng)海濤;艾萱 | 申請(專利權(quán))人: | 南京國博電子有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/42 | 分類號: | H03F1/42;H03F3/343 |
| 代理公司: | 南京君陶專利商標(biāo)代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
| 地址: | 210016 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改進(jìn)型 寬帶 偏置 達(dá)林頓 線性 放大器 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是一種高性能InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管微波單片放大器。特別是一種改進(jìn)型寬帶自偏置達(dá)林頓線性放大器電路。屬于微波單片集成電路領(lǐng)域。?
背景技術(shù)
達(dá)林頓放大器帶寬,增益穩(wěn)定,尺寸小,封裝簡便,易于級聯(lián)等特點(diǎn)。達(dá)林頓增益放大器技術(shù)已廣泛用于RF無線有線應(yīng)用。綜合小功率放大器的帶寬及功率指標(biāo),將采用InGaP/GaAs?HBT工藝技術(shù),電路采用達(dá)林頓結(jié)構(gòu),放大器設(shè)計(jì)盡可能兼顧目前移動通信的各個頻段,采用單電源供電,具有好的輸入、輸出駐波特性和增益平坦特性,使放大器除了用在TD-SCDMA外,可以適用于其他通信頻段。在保證產(chǎn)品性能和可靠性的前提下,優(yōu)化芯片設(shè)計(jì),降低芯片面積,使產(chǎn)品具備盡可能高的性價比。無論是目前使用的二代移動通信系統(tǒng)GSM體制、窄帶CDMA體制還是TDS-CDMA體制對基站功率放大器的一個共同要求都是高線性。并要求在滿足線性要求的前提下實(shí)現(xiàn)盡可能高的功率附加效率。因而在電路設(shè)計(jì)過程中,要充分考慮如何滿足功放的高線性要求和實(shí)現(xiàn)高效率。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出的是一種改進(jìn)型寬帶自偏置達(dá)林頓線性放大器電路,基于傳統(tǒng)達(dá)林頓結(jié)構(gòu)改進(jìn)的自偏置達(dá)林頓放大器,其目的旨在提高增益平坦度,提高電路的線性IP3(三階交調(diào))。由二只晶體三極秋管組成共射-共基的達(dá)林頓后級擴(kuò)展高頻的帶寬,通過線性補(bǔ)償電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),提高了線性特性。本發(fā)明的技術(shù)解決方案:其特征是第一晶體三極管Q1、第二晶體三極管Q2、第三晶體三極管Q3組成達(dá)林頓結(jié)構(gòu),即第一晶體三極管Q1的發(fā)射極與第二晶體三極管Q2的基極相接,第二晶體三極管Q2的集電極與第三晶體三極管Q3的發(fā)射極相接,第三晶體三極管Q3的集電極與第一晶體三極管Q1的集電極相接,由第二晶體三極管Q2、第三晶體三極管Q3組成共射-共基的達(dá)林頓后級擴(kuò)展高頻的帶寬。?
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明第二晶體三極管Q2,?第三晶體三極管Q3采用cascode結(jié)構(gòu)作為達(dá)林頓放大器的后級,擴(kuò)展了帶寬,同時提高三階交調(diào)IP3。一直到4.5GHz?增益都比較平坦,保持±1dB的變化量。可以滿足不同頻點(diǎn)的增益要求。?
附圖說明:
附圖1是傳統(tǒng)自偏置達(dá)林頓放大器電路圖。
附圖2是本發(fā)明的自偏置達(dá)林頓電路結(jié)構(gòu)示意圖。?
附圖3是本發(fā)明線性補(bǔ)償自偏置達(dá)林頓結(jié)構(gòu)示意圖。?
附圖4a是本發(fā)明與傳統(tǒng)達(dá)林頓放大器小信號增益對比示意圖。?
附圖4b是本發(fā)明小信號增益、輸入輸出反射損耗示意圖。?
附圖5是本發(fā)明輸出功率1dB壓縮點(diǎn)與頻率的關(guān)系示意圖。?
附圖6a是本發(fā)明與傳統(tǒng)達(dá)林頓放大器輸出ip3與頻率關(guān)系對比示意。?
附圖6b是本發(fā)明與傳統(tǒng)達(dá)林頓放大器輸入ip3與頻率關(guān)系對比示意圖。?
具體實(shí)施方式
?對照附圖2,其結(jié)構(gòu)是采用改進(jìn)的自偏置達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。由晶體三極管Q1、晶體三極管Q2、晶體三極管Q3組成達(dá)林頓結(jié)構(gòu),與傳統(tǒng)達(dá)林頓結(jié)構(gòu)不同,如圖2所示虛線框圖中晶體三極管Q2、晶體三極管Q3組成共射-共基的達(dá)林頓后級擴(kuò)展高頻的帶寬。晶體三極管Q2可以增加擊穿電壓和拓展達(dá)林頓放大器的帶寬。如圖4所示,傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)增益隨著頻率增加增益逐漸減小,本發(fā)明晶體三極管Q2、晶體三極管Q3采用cascode結(jié)構(gòu)作為達(dá)林頓放大器的后級,擴(kuò)展了帶寬,同時提高線性度(三階交調(diào)點(diǎn)IP3)。一直到4.5GHz?增益都比較平坦,保持±1dB的平坦度。可以滿足不同頻點(diǎn)的增益要求。如圖4a,本發(fā)明與傳統(tǒng)達(dá)林頓放大器小信號增益對比,?○為傳統(tǒng)達(dá)林頓放大器的小信號增益與頻率的關(guān)系曲線◇為本發(fā)明改進(jìn)型自偏置達(dá)林頓放大器的小信號增益與頻率的關(guān)系曲線。?
對照附圖3,其結(jié)構(gòu)是在改進(jìn)的darlington結(jié)構(gòu)(圖2)上采用線性補(bǔ)償電路電路(虛線框內(nèi)),來提高2GHz以后的線性度。補(bǔ)償電路選用晶體三極管Q5,?晶體三極管Q5的基極和集電極相連接并通過電阻R8接到達(dá)林頓的輸出端;晶體三極管Q5發(fā)射極接到達(dá)林頓的共射-共基點(diǎn)。補(bǔ)償電路對電路的增益、駐波等小信號參數(shù)幾乎沒有影響,(如圖4b本發(fā)明小信號增益、輸入輸出反射損耗示意圖,△為小信號增益○為輸入反射損耗◇為輸出反射損耗),對P1dB的影響也很小(如附圖5輸出功率1dB壓縮點(diǎn)與頻率的關(guān)系示意圖)。對線性特性影響比較明顯,如圖6所示分別為本發(fā)明的輸入輸出三階交調(diào)與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的輸入輸出三階交調(diào)對比(○為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的三階交調(diào)◇為本發(fā)明的三階交調(diào))。同一點(diǎn)的OIP3提高4到5?dB。線性帶寬拓展2GHz到3GHz。?
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