[發明專利]一種GaN基藍、綠光偏振出光二極管的封裝結構無效
| 申請號: | 201110198894.6 | 申請日: | 2011-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN102244184A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 曹冰;張桂菊;王欽華;黃奎;韓琴;王建峰;任國強;徐科 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學;蘇州納維科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/44 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 gan 偏振 二極管 封裝 結構 | ||
1.?一種GaN基藍、綠光偏振出光二極管的封裝結構,包括一只或多只安置于基板上的GaN基藍或綠光LED芯片,及封裝殼體;其特征在于:在所述LED芯片(2)的出光面的上表面設置有偏振膜(1);在基板(5)與LED芯片底部之間安置退偏振器(4),整體封裝于殼體內部;所述的偏振膜為金屬線柵結構或多層介質膜結構,對藍或綠光波段的s或p光,其中一種偏振態為選擇性通過,另一種偏振態為全反射。
2.?根據權利要求1所述的一種GaN基藍、綠光偏振出光二極管的封裝結構,其特征在于:所述的退偏振器包括采用具有梯度相位差的雙折射材料,或具有退偏振效應的液晶材料。
3.?根據權利要求2所述的一種GaN基藍、綠光偏振出光二極管的封裝結構,其特征在于:所述的退偏振器用雙折射材料為雙解石、石英或冰洲石。
4.?根據權利要求2所述的一種GaN基藍、綠光偏振出光二極管的封裝結構,其特征在于:所述的退偏振器用液晶材料為向列項液晶、近晶相液晶或膽甾相液晶。
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