[發明專利]一種高壓直流發光二極管芯片制造方法及其結構有效
| 申請號： | 201110198674.3 | 申請日： | 2011-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN102255012A | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發明（設計）人： | 張楠;朱廣敏;李睿;郝茂盛 | 申請（專利權）人： | 上海藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高壓 直流 發光二極管 芯片 制造 方法 及其 結構 | ||
1.一種高壓直流發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)粗糙化導熱轉移襯底，增加用于倒裝及鍵合的表面面積；在導熱轉移襯底上制作用于將多個LED芯片單元連接的串聯電路單元，同時將不屬于串聯電路單元的其余襯底表面絕緣處理；
2)制作獨立的采用藍寶石襯底的LED芯片單元，并將獨立的LED芯片單元進行分選；
3)將已經分選好的獨立LED芯片單元倒裝在已經制備有串聯電路單元的導熱轉移襯底上，使多個LED芯片單元依次串聯；
4)將倒裝在導熱轉移襯底上的所有LED芯片單元一起再做低溫高壓鍵合工藝；
5)激光剝離所述藍寶石襯底；
6)清洗剝離后的LED芯片單元；
7)研磨倒裝有多個LED芯片單元的導熱轉移襯底，按照導熱轉移襯底上制作的串聯電路單元劃裂導熱襯底，形成獨立的高壓直流LED。
2.根據權利要求1所述的高壓直流發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：步驟1)中，制作串聯電路單元包括在導熱轉移襯底上制作用于LED芯片單元電極壓焊的電極焊盤及串聯多個LED芯片單元的金屬互連線路。
3.根據權利要求1所述的高壓直流發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：步驟1)中，制作所述絕緣層將串聯電路單元之外的導熱轉移襯底表面鈍化絕緣。
4.根據權利要求3所述的高壓直流發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述絕緣層采用SiO2材料、SiN、TiN、TaN中的一種或其中多種組成的復合材料。
5.根據權利要求1所述的高壓直流發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述導熱轉移襯底采用Si襯底或Cu襯底。
6.根據權利要求1所述的高壓直流發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：步驟3)中的倒裝工藝包括：利用倒裝工藝將多個LED芯片單元的N電極和P電極與所述導熱轉移襯底上的串聯電路單元連接，從而使多個LED芯片單元依次串聯。
7.根據權利要求1所述的高壓直流發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述低溫高壓鍵合工藝采用壓力為2-4噸，溫度為100-300攝氏度。
8.一種高壓直流發光二極管芯片結構，其特征在于，包括：多個LED芯片單元和一個芯片基底；
所述LED芯片單元順序包括N型半導體層、有源層和P型半導體層，以及分別與N型半導體層和P型半導體層電連接的N電極和P電極，所述N電極和P電極位于發光二極管芯片單元的同一面上；
所述芯片基底包括導熱襯底、位于導熱襯底上的絕緣層，以及位于絕緣層外的用于串聯多個LED芯片單元的串聯電路；
所述多個LED芯片單元倒裝于所述芯片基底上，且所述多個LED芯片單元依次串聯。
9.根據權利要求8所述的高壓直流發光二極管芯片結構，其特征在于：所述用于串聯多個LED芯片單元的串聯電路包括用于LED芯片單元電極壓焊的電極焊盤及串聯多個LED芯片單元的金屬互連線路。
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