[發明專利]一種Ge襯底上生長GaInP化合物半導體的方法有效
| 申請號： | 201110198260.0 | 申請日： | 2011-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN102243993A | 公開（公告）日： | 2011-11-16 |
| 發明（設計）人： | 何巍;陸書龍;董建榮;楊輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L21/20 | 分類號： | H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ge 襯底 生長 gainp 化合物 半導體 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種Ge襯底上生長GaInP化合物半導體的方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)選取Ge襯底置于反應腔室中，保持反應腔室中殘余的Ga和In的壓力低于2×10-8Torr；
(2)向反應腔室通入P2，同時加熱Ge襯底至600-700℃，在所述Ge襯底表面覆蓋一層P原子層；
(3)將Ge襯底降溫至生長溫度，同時向反應腔室通入材料Ga和In，生長GaInP化合物半導體。
2.根據權利要求1所述的生長GaInP化合物半導體的方法，其特征在于：所述的Ge襯底采用(001)偏[110]面，偏角大小為1-9°。
3.根據權利要求1所述的生長GaInP化合物半導體的方法，其特征在于：所述的生長過程采用分子束外延生長方法。
4.根據權利要求1所述的生長GaInP化合物半導體的方法，其特征在于：所述的步驟(3)生長速率控制在0.1-0.5μm/hr。
5.根據權利要求1所述的生長GaInP化合物半導體的方法，其特征在于：所述的生長溫度范圍是450-530℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
