[發明專利]發光二極管封裝結構

有效

• 申請號: 201110198226.3
• 申請日: 2011-07-15
• 公開（公告）號: CN102255034A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 楊華;盧鵬志;謝海忠;于飛;鄭懷文;薛斌;伊曉燕;王軍喜;王國宏;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種發光二極管封裝結構，包括：

一絕緣襯底，該絕緣襯底上面的兩側開有通孔，該通孔中填充有導電金屬；

一n型層，該n型層制作在絕緣襯底上，并覆蓋絕緣襯底的大部分面積，使絕緣襯底的一側形成一臺面，該臺面的另一側的n型層上與絕緣襯底的通孔配合開有一孔，該孔中填充有導電金屬；

一有源層，該有源層制作在n型層上，該有源層的面積小于n型層的面積，而位于n型層的一側；

一p型層，該p型層制作在有源層上；

一隔離層，該隔離層位于前述n型層、有源層和p型層的一側并覆蓋部分p型層的上表面；

一p電極，該p電極覆蓋隔離層，并覆蓋部分p型層的上表面，該p電極與絕緣襯底上的通孔中的導電金屬連接；

一n電極，該n電極制作在n型層上面的一側，與絕緣襯底上的通孔中的導電金屬連接；

一第一背電極，該第一背電極制作在絕緣襯底的背面的一側，該第一背電極通過絕緣襯底上的通孔中的導電金屬與p電極連接；

一第二背電極，該第二背電極制作在絕緣襯底的背面的另一側，該第二背電極通過絕緣襯底上的通孔中的導電金屬與n電極連接；前述各部分形成器件的基底；

一光學元件，該光學元件封裝于基底上，完成器件的制作。

2.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中絕緣襯底的材料為藍寶石或碳化硅或氮化鋁。

3.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中n型層的材料為n型氮化鎵。

4.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中有源層的材料為氮化鎵材料制作的量子阱結構。

5.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中p型層的材料為p型氮化鎵。

6.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中隔離層的材料為氧化硅或氮化硅。

7.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中p電極、n電極、第一背電極和第二背電極為導電金屬。

8.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中光學元件為樹脂、硅膠或玻璃，或及其組合。