[發明專利]提高單晶硅縱向電阻率一致性的裝置及其處理工藝

有效

• 申請號: 201110197642.1
• 申請日: 2011-07-14
• 公開（公告）號: CN102260900A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 周建華
• 申請（專利權）人: 西安華晶電子技術股份有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B15/12;C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 西安創知專利事務所 61213
• 代理人: 譚文琰

1.一種提高單晶硅縱向電阻率一致性的裝置，包括單晶爐，所述單晶爐包括單晶爐爐體和布設在單晶爐爐體外側的功率柜(10)，所述單晶爐爐體包括主爐室(6)和位于主爐室(6)正上方的副爐室(4)，所述主爐室(6)內設置有石英坩堝(17-1)、布設在石英坩堝(17-1)正上方的導流筒、套裝在石英坩堝(17-1)外側的石墨坩堝(17-2)和布設在石墨坩堝(17-2)正下方的石墨熱場系統，所述石墨熱場系統與功率柜(10)上所設置的接線端相接，其特征在于：還包括水平放置在石英坩堝(17-1)內側中部的石英筒(17-3)，所述石英筒(17-3)為上下均開口的圓柱狀筒體且所述圓柱狀筒體的壁厚為3mm～10mm，所述石英筒(17-3)的外徑為其所處石英坩堝(17-1)內徑的1/2～1/3；所述石英筒(17-3)與石英坩堝(17-1)呈同軸布設，且石英筒(17-3)的頂部高度不高于石英坩堝(17-1)的頂部高度；所述石英筒(17-3)底部沿圓周方向開有用于將石英坩堝(17-1)內腔與石英筒(17-3)內腔連通的多個通孔，多個所述通孔的結構和尺寸均相同且多個所述通孔呈均勻布設。

2.按照權利要求1所述的提高單晶硅縱向電阻率一致性的裝置，其特征在于：所述石英筒(17-3)的頂部與石英坩堝(17-1)的頂部相平齊，或者石英筒(17-3)的頂部高度比石英坩堝(17-1)的頂部高度低2cm～3cm。

3.按照權利要求1或2所述的提高單晶硅縱向電阻率一致性的裝置，其特征在于：所述通孔的橫截面面積為6mm²～40mm²，且所述通孔的橫截面面積越大，所開通孔的數量越少。

4.按照權利要求3所述的提高單晶硅縱向電阻率一致性的裝置，其特征在于：所述通孔的數量為6個～2個。

5.按照權利要求4所述的提高單晶硅縱向電阻率一致性的裝置，其特征在于：所述通孔為開在石英筒(17-3)底部邊沿上的凹槽。

6.按照權利要求5所述的提高單晶硅縱向電阻率一致性的裝置，其特征在于：所述凹槽的數量為3個，且所述凹槽為直徑為2mm～5mm的半圓形槽(20)。

7.按照權利要求1或2所述的提高單晶硅縱向電阻率一致性的裝置，其特征在于：所述圓柱狀筒體的壁厚為5mm～10mm。