[發明專利]半導體裝置、啟動電路及其操作方法有效
| 申請號: | 201110197611.6 | 申請日: | 2011-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN102882363A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發明(設計)人: | 陳永初;胡智閔;陳立凡 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/36 | 分類號: | H02M1/36;H01L27/06 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 啟動 電路 及其 操作方法 | ||
1.一種啟動電路,包括:
一半導體元件;
一第一電路,是由一個二極管或以串聯方式電性連接的多個二極管所構成;
一第二電路,是由一個二極管或以串聯方式電性連接的多個二極管所構成,其中該半導體元件被耦接于該第一電路與該第二電路之間的一第一節點;
一電壓輸入端,耦接于該半導體元件;以及
一電壓輸出端,耦接于該半導體元件與該第一電路之間的一第二節點。
2.根據權利要求1所述的啟動電路,其中,
該半導體元件包括一源極、一漏極與一柵極,
該電壓輸入端被耦接該漏極與該源極其中一個,
該電壓輸出端被耦接該漏極與該源極其中另一個,
該第一節點被耦接該柵極,
該電壓輸出端的電壓是對該第一電路與該第二電路的該多個二極管造成一逆向偏壓。
3.根據權利要求1所述的啟動電路,其中,
該半導體元件為N型空乏型晶體管,并包括一源極、一漏極與一柵極,
該電壓輸入端被耦接該漏極,
該電壓輸出端被耦接該源極與該第一電路的二極管的陰極,
該第一節點位于該柵極、該第一電路的二極管的陽極與該第二電路的二極管的陰極之間,
該第二電路的二極管的陽極接地。
4.根據權利要求1所述的啟動電路,其中該第一電路與該第二電路的該多個二極管包括PN結二極管或齊納二極管。
5.根據權利要求1所述的啟動電路,其中該啟動電路是應用于切換式電源供應器。
6.一種啟動電路的操作方法,其中該啟動電路包括:
一半導體元件;
一第一電路,是由一個二極管或以串聯方式電性連接的多個二極管所構成;
一第二電路,是由一個二極管或以串聯方式電性連接的多個二極管所構成,其中該半導體元件被耦接于該第一電路與該第二電路之間的一第一節點;
一電壓輸入端,耦接于該半導體元件;以及
一電壓輸出端,耦接于該半導體元件與該第一電路之間的一第二節點,該啟動電路的操作方法包括:
提供一輸入電壓至該電壓輸入端,以使一電流從該電壓輸入端經過該晶體管而至該電壓輸出端,并在該電壓輸出端產生一輸出電壓,其中該輸出電壓是對該第一電路與該第二電路的該多個二極管造成一逆向偏壓。
7.根據權利要求6所述的啟動電路的操作方法,其中該輸入電壓相近于該輸出電壓。
8.根據權利要求6所述的啟動電路的操作方法,更包括截止該半導體元件,其中截止該半導體元件的方法包括使該啟動電路符合條件:該半導體元件的該柵極至該源極的壓差VGS大于該晶體管的閾值電壓。
9.一種半導體裝置,包括:
一半導體元件,包括一源極、一漏極與一柵極,其中該柵極位于該源極與該漏極之間;
一第一二極管元件,耦接于該源極與該柵極之間;以及
一第二二極管元件,其中該柵極耦接于該第一二極管元件與該第二二極管元件之間的一第一節點。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置,更包括一介電結構,其中該第一二極管元件與該第二二極管元件位于該介電結構上并通過該介電結構分開于該半導體元件。
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H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





