[發明專利]利用等離子體浸沒離子注入技術制備p型ZnO薄膜的方法

無效

• 申請號: 201110197335.3
• 申請日: 2011-07-14
• 公開（公告）號: CN102254997A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 李澤斌;區瓊榮;何龍;吳忠航;梁榮慶
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0296;H01L21/363;H01L21/425
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種利用等離子體浸沒離子注入技術制備p型ZnO薄膜的方法，其特征在于具體步驟為：

（1）首先通過磁控濺射技術生長摻Al的n型ZnO薄膜，記為AZO，磁控濺射工作條件為：本底真空2×10^-4Pa-6×10^-4Pa，工作氣體高純Ar，工作壓強0.1Pa-1Pa，射頻功率100W-550W，襯底溫度恒定200℃-500℃；

（2）將獲得的AZO薄膜置于PIII裝置內的樣品臺上，腔體抽真空；然后，在腔體中通入含N的工作氣體，使用600W射頻電源產生面均勻、大體積感應耦合等離子體；樣品臺偏壓源采用10KW固態開關電路的快上升沿高壓脈沖電源，脈寬和頻率均可調；注入工作條件為：工作氣體為NO+O₂混合氣體，工作氣壓0.5Pa-1Pa，射頻功率100W-550W，脈沖寬度10μs-100μs，脈沖頻率10Hz-100?Hz，偏壓大小1kV-30kV；

（3）最后進行退火處理，退火氣氛為?N₂，退火溫度為650℃-950℃，退火時間為30min-60min，即得到p型特性的ZnO薄膜。