[發明專利]太陽能電池和制造該太陽能電池的方法

無效

• 申請號: 201110196575.1
• 申請日: 2011-07-08
• 公開（公告）號: CN102386248A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 鮮于文旭;樸用永;金璉熙;梁祐榮;金賢鐘
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;羅延紅

1.一種太陽能電池，所述太陽能電池包括：

半導體基底；

鈍化膜，設置在所述半導體基底的一側上；

保護層，設置在所述鈍化膜的與所述半導體基底相對的一側上；

電極，設置在所述保護層的與所述鈍化膜相對的一側上，

其中，所述電極包括含有玻璃料和導電材料的導電糊的產物，

其中，所述保護層包含吉布斯自由能的絕對值比所述玻璃料的每個組分的吉布斯自由能的絕對值小的材料。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述保護層包含銅、鈀、銥、它們的合金或它們的氧化物或者它們的組合。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其中，所述合金包括銅-鋁合金、鈀-鋁合金或銥-鋁合金或者它們的組合。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池，其中，基于所述合金的原子百分數為100，所述合金含有0.1至20原子百分數的鋁。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述玻璃料包括PbO、ZnO、SiO₂、B₂O₃、Bi₂O₃、BaO、Na₂O或它們的組合。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述鈍化膜包括氧化鋁。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述鈍化膜和所述保護層包括通孔，所述電極通過所述鈍化膜和所述保護層的所述通孔接觸所述半導體基底。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池，其中，所述電極僅通過所述鈍化膜和所述保護層的所述通孔接觸所述鈍化膜。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述保護層的厚度為5納米至500納米。

10.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括：

在半導體基底的一側上形成鈍化膜；

在所述鈍化膜的與所述半導體基底相對的一側上形成保護層；

在所述保護層和所述鈍化膜中形成通孔；

形成通過所述保護層和所述鈍化膜的所述通孔接觸所述半導體基底的電極，

其中，所述電極包括含有玻璃料和導電材料的導電糊的產物，

所述保護層包含吉布斯自由能的絕對值比所述玻璃料的每個組分的吉布斯自由能的絕對值小的材料。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述保護層包含銅、鈀、銥、它們的合金或它們的氧化物或者它們的組合。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述合金包括銅-鋁合金、鈀-鋁合金或銥-鋁合金或者它們的組合。

13.根據權利要求10所述的方法，其中，所述玻璃料包括PbO、ZnO、SiO₂、B₂O₃、Bi₂O₃、BaO、Na₂O或它們的組合。

14.根據權利要求10所述的方法，其中，通過使用波長為300納米至600納米的激光的激光切除來執行在所述保護層和所述鈍化膜中形成通孔的步驟。

15.根據權利要求10所述的方法，其中，形成所述電極的步驟包括：

將所述導電糊絲網印刷，

將所述導電糊進行熱處理。