[發明專利]半導體集成電路裝置

無效

• 申請號: 201110196293.1
• 申請日: 2011-07-12
• 公開（公告）號: CN102376704A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 井上文裕
• 申請（專利權）人: 三美電機株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;郭鳳麟

1.一種半導體集成電路裝置，其在一個半導體襯底上形成有數字電路和模擬電路，分離為形成所述數字電路的數字電路區域和形成模擬電路的模擬電路區域，將所述模擬電路區域分離為形成所述模擬電路的有源元件的有源元件區域和形成所述模擬電路的無源元件的無源元件區域，將所述無源元件區域配置在與所述數字電路區域相鄰的區域中，將所述有源元件區域配置在遠離所述數字電路區域的區域中，該半導體集成電路裝置的特征在于，

在所述無源元件區域的半導體襯底中形成與所述半導體襯底的導電型不同的第一導電型的第一阱，

在所述第一阱內形成與所述第一阱的第一導電型不同的第二導電型的第二阱，

在所述第二阱上隔著元件隔離膜布設了無源元件。

2.根據權利要求1所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

分別對形成在所述第一阱與所述半導體襯底之間的PN結和形成在所述第一阱與所述第二阱之間的PN結施加反偏壓。

3.根據權利要求2所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

所述第一阱被在遠離所述數字電路區域的位置上設置所述第一導電型的雜質高濃度層，向所述第一導電型的雜質高濃度層供給所述模擬電路的電源電壓。

4.根據權利要求3所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

所述半導體襯底和所述第二阱被設置所述第二導電型的雜質高濃度層，向所述第二導電型的雜質高濃度層供給所述模擬電路的接地電壓。