[發明專利]等離子體處理方法以及半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 201110194328.8 | 申請日： | 2011-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN102315095A | 公開（公告）日： | 2012-01-11 |
| 發明（設計）人： | 田原慈;西村榮一;山下扶美子;富田寬;大巖德久;大口壽史;大村光廣 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 處理 方法 以及 半導體 裝置 制造 | ||
1.一種等離子體處理方法，經過對形成在基板上的金屬層進行等離子體蝕刻的工序來形成層疊結構中具有上述金屬層的圖案之后，去除含有構成上述金屬層的金屬并在上述圖案的側壁部堆積的堆積物，該等離子體處理方法的特征在于，具備以下工序：
保護層形成工序，在上述金屬層的側壁部形成上述金屬的氧化物或者氯化物；
堆積物去除工序，使含有氟原子的氣體的等離子體發生作用來去除上述堆積物；以及
還原工序，在上述保護層形成工序和上述堆積物去除工序之后，使含有氫的等離子體發生作用來還原上述金屬的氧化物或者氯化物。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，
在上述保護層形成工序中，使氧氣的等離子體發生作用來形成上述金屬的氧化物，或者使氯氣的等離子體發生作用來形成上述金屬的氯化物，交替地多次反復進行該保護層形成工序和上述堆積物去除工序，之后進行上述還原工序。
3.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，
在上述保護層形成工序中，使氧氣的等離子體發生作用來形成上述金屬的氧化物，或者使氯氣的等離子體發生作用來形成上述金屬的氯化物，將該保護層形成工序和上述堆積物去除工序同時進行，將氧氣或者氯氣的流量與含有氟原子的氣體的流量之比即氧氣或者氯氣的流量/含有氟原子的氣體的流量設定為大于25。
4.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，
在上述保護層形成工序中，在氧氣氣氛下對上述基板進行加熱來形成上述金屬的氧化物，在上述堆積物去除工序之前僅進行一次該保護層形成工序。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于，
上述含有氟原子的氣體是NF3、CHF3、CH2F2中的至少一種。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于，
上述金屬層是含鎢的層。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于，
上述金屬層是含鈦的層。
8.一種半導體裝置的制造方法，具有堆積物的去除工藝，在該堆積物的去除工藝中經過對形成在基板上的金屬層進行等離子體蝕刻的工序來形成層疊結構中具有上述金屬層的圖案之后，去除含有構成上述金屬層的金屬并在上述圖案的側壁部堆積的堆積物，該半導體裝置的制造方法的特征在于，
上述堆積物的去除工藝具有以下工序：
保護層形成工序，在上述金屬層的側壁部形成上述金屬的氧化物或者氯化物；
堆積物去除工序，使含有氟原子的氣體的等離子體發生作用來去除上述堆積物；以及
還原工序，在上述保護層形成工序和上述堆積物去除工序之后，使含有氫的等離子體發生作用來還原上述金屬的氧化物或者氯化物。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
