[發明專利]具有含鈷的側壁保護層的銅柱

有效

• 申請號: 201110194230.2
• 申請日: 2011-07-08
• 公開（公告）號: CN102456651A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 黃見翎;林正怡;劉重希
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種集成電路器件，包括：

半導體襯底；

凸塊下金屬(UBM)層，疊加在所述半導體襯底上；

在所述UBM層上的導電柱；以及

鈷氧化層，在所述導電柱的側壁表面上。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，進一步包括疊加在所述導電柱上的焊料層，其中所述焊料層包括鈷(Co)元素。

3.根據權利要求2所述的集成電路器件，其中所述焊料層包括無鉛焊料層。

4.根據權利要求2所述的集成電路器件，進一步包括在所述導電柱和所述焊料層之間的金屬保護層。

5.根據權利要求4所述的集成電路器件，其中所述金屬氧化層延伸成覆蓋所述金屬保護層的側壁表面。

6.根據權利要求4所述的集成電路器件，其中所述金屬保護層包括鎳。

7.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中所述導電柱是銅柱。

8.一種封裝組件，包括：

第一襯底，所述第一襯底包括凸塊結構；

第二襯底，附接所述第一襯底；以及

接合焊料層，在所述第二襯底和所述第一襯底的凸塊結構之間；

其中所述凸塊結構包括金屬柱和在所述金屬柱的側壁表面上的鈷氧化層。

9.根據權利要求8所述的封裝組件，其中所述接合焊料層包括鈷(Co)元素。

10.一種形成集成電路器件的方法，所述方法包括：

形成金屬柱，所述金屬柱疊加在半導體襯底上；

形成焊料層，所述焊料層疊加在所述金屬柱上；

形成金屬化層，所述金屬化層覆蓋所述金屬柱和所述焊料層，其中所述金屬化層包括鈷(Co)元素；

將所述焊料層熱回流以形成焊接凸塊，其中所述金屬化層的Co元素轉入所述焊接凸塊中；以及

將所述金屬化層氧化，以在所述金屬柱的側壁表面上形成金屬氧化層。