[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110192235.1 | 申請日： | 2011-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN102315348A | 公開（公告）日： | 2012-01-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 崔光基;丁煥熙;李尚烈;宋俊午;文智炯;鄭勢演;成泰連 | 申請（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 夏凱;謝麗娜 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
有源層，所述有源層在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間，所述有源層由半導(dǎo)體材料形成；以及
電流擴(kuò)展層，所述電流擴(kuò)展層在所述第一和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的一個上、包括彼此物理地連接的多個碳納米管束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述電流擴(kuò)展層具有包括所述多個碳納米管束的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述碳納米管束中的每一個具有其中多個單壁碳納米管被彼此捆綁到一起的結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述碳納米管束中的每一個具有的密度處于所述第一和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的一個的面積的大約30％至大約90％的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述電流擴(kuò)展層具有大約10nm至大約70nm的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述電流擴(kuò)展層與所述第一和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的一個進(jìn)行表面接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述電流擴(kuò)展層具有與所述第一和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的一個的面積相同的面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括：
第一電極，所述第一電極在所述第一和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的另一個上；以及
第二電極，所述第二電極在所述電流擴(kuò)展層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述電流擴(kuò)展層和所述第二電極之間的歐姆接觸層以及反射構(gòu)件中的一個。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極包括具有導(dǎo)電性的支撐構(gòu)件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括：
第一電極，所述第一電極在所述第一和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的另一個上；
反射層，所述反射層在所述電流擴(kuò)展層上；以及
第二電極，所述第二電極在所述反射層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極、所述反射層以及所述電流擴(kuò)展層中的每一個具有與所述第一和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的一個的面積相同的面積。
13.一種發(fā)光器件，包括：
第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
有源層，所述有源層在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間，所述有源層由半導(dǎo)體材料形成；以及
在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的電流擴(kuò)展層，在電流擴(kuò)展層中，多個碳納米管束通過網(wǎng)絡(luò)彼此連接，所述碳納米管束中的每一個包括多個單壁碳納米管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述碳納米管束中的每一個具有所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的面積的大約30％至大約90％的范圍內(nèi)的密度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述電流擴(kuò)展層具有大約10nm至大約70nm的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述電流擴(kuò)展層具有與所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的面積相同的面積。
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