[發(fā)明專利]一種十字形CMOS集成霍爾磁傳感器的電路仿真模型

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110191728.3
• 申請(qǐng)日: 2011-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN102236736A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐躍;趙菲菲;吳金山;吳佩莉;何遲;王凱玄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京郵電大學(xué)
• 主分類號(hào): G06F17/50
• 分類號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 葉連生

1.一種十字形CMOS集成霍爾磁傳感器的電路仿真模型，其特征是：由12個(gè)非線性N阱電阻、8個(gè)PN結(jié)結(jié)電容和4個(gè)受電流控制的電壓源構(gòu)成中心對(duì)稱的結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)；將十字形器件分為一個(gè)中心區(qū)域和四個(gè)叉指區(qū)域，中心區(qū)域的有源區(qū)用R_H--R_D--C_B--V_H/2網(wǎng)絡(luò)表示，叉指區(qū)域的有源區(qū)用R_F--C_F網(wǎng)絡(luò)表示；

中心區(qū)域共包括4個(gè)內(nèi)層十字電阻(R_D1～R_D4)，4個(gè)外層橋臂電阻(R_H1～R_H4)；其中4個(gè)內(nèi)層十字電阻(R_D1～R_D4)的一端連接在一起構(gòu)成十字中心端，相鄰兩個(gè)內(nèi)層十字電阻的另一端之間連接一個(gè)外層橋臂電阻，構(gòu)成呈十字對(duì)稱的R_H--R_D網(wǎng)絡(luò)；其各端口與該模型外端的接觸端口之間分別連接一個(gè)叉指電阻

4個(gè)中心電容(C_B)分別位于R_H--R_D網(wǎng)絡(luò)的端口與地之間；

4個(gè)叉指處各用一個(gè)叉指電阻(R_F)與一個(gè)受電流信號(hào)控制的電壓源(V_H/2)相串聯(lián)，串聯(lián)后的兩端分別接R_H--R_D網(wǎng)絡(luò)的一端口和該模型電路外端的接觸端口；4個(gè)叉指電容(C_F)分別位于該模型外端的接觸端口與地之間；

4個(gè)受電流控制的霍爾電壓源(V_H/2)位于中心R_H--R_D--C_B網(wǎng)絡(luò)與叉指R_F--C_F網(wǎng)絡(luò)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的十字形CMOS集成霍爾磁傳感器的電路仿真模型，其特征是所述的外層橋臂電阻(R_H)與內(nèi)層十字電阻(R_D)，其計(jì)算方法為：

RH=2RSπ(LWπ-2ln2),]]>RHRD=2-8πln2L/W]]>

其中：L是十字形CMOS霍爾器件的叉指長度，W是十字形CMOS霍爾器件的叉指寬度，R_S是霍爾器件材料的方塊電阻。