[發明專利]一種SED顯示器電子發射源納米縫陣列的制備方法

無效

• 申請號: 201110191515.0
• 申請日: 2011-07-11
• 公開（公告）號: CN102262991A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 邵金友;丁玉成;劉紅忠;李祥明;繆林林;李欣
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01J9/02
• 分類號: H01J9/02;B81C1/00
• 代理公司: 西安智大知識產權代理事務所 61215
• 代理人: 賀建斌

1.一種SED顯示器電子發射源納米縫陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，進行包含激光光致膨脹聚合物材料層的SED電子發射源圖形結構制造：在透明基材和具有應力集中豁口的電子發射材料薄膜之間引入一層激光光致膨脹聚合物材料，形成“透明基材-激光光致膨脹聚合物材料-電子發射材料”的三明治結構，激光光致膨脹聚合物材料采用PMMA、PS或PI，在激光光束照射下能夠具有體積膨脹特性，

電子發射源圖形結構中激光光致膨脹聚合物材料的引入方式分為局部引入方式和整體引入方式，

局部引入方式：在透明基材表面制備出電子發射源所需的引線電極、列掃描線、絕緣層和行掃描線，然后在引線電極的縫隙內制備激光光致膨脹聚合物材料，制備完成后在激光光致膨脹聚合物材料和引線電極表面覆蓋電子發射材料，進而在引線電極間隙內形成“透明基材-激光光致膨脹聚合物材料-電子發射材料”的三明治結構，

整體引入方式：在透明基材表面均勻制備一層激光光致膨脹聚合物材料，然后在激光光致膨脹聚合物材料表面制備電子發射源所需的引線電極、列掃描線、絕緣層和行掃描線，并在引線電極表面制備電子發射材料，此時在引線電極間隙內形成“透明基材-激光光致膨脹聚合物材料-電子發射材料”的三明治結構；

第二步，進行納米縫結構的制造：采用激光在透明基材無電子發射源圖形結構一側照射引線電極的縫隙內的激光光致膨脹聚合物材料，使之產生體積膨脹，激光能量密度在激光光致膨脹聚合物材料的燒蝕閾值和膨脹閾值之間選擇，體積膨脹的激光光致膨脹聚合物材料為電子發射材料薄膜破裂提供所需的應力來源，當電子發射材料薄膜承受拉應力達到材料的斷裂極限時，將在電子發射材料薄膜預設的應力集中豁口處形成納米級裂紋，形成位置精確可控。

2.根據權利要求1所述的一種SED顯示器電子發射源納米縫陣列的制備方法，其特征在于，在進行納米縫結構的制造中，陣列化納米縫結構的制造采用激光陣鏡掃描的方式對納米縫進行逐一制造，為保證像素發光的均勻性，采用原位控制隧道電流的方法保證納米縫發射源陣列發射特性的一致性，具體包括以下步驟：

(1)利用已印制的SED電子發射源圖形結構的行掃描線和列掃描線以尋址的方式建立針對陣列結構中任意像素的電子發射源隧道電流監測系統；

(2)設定電子發射源隧道電流的目標值；

(3)在任一納米縫成形過程中，實時監測隧道電流的變化，當發射源的隧道電流到達設定的目標值時，控制系統立即切斷激光脈沖，終止縫隙生長；

(4)通過高速激光掃描振鏡的偏轉，激光束移動到陣列中下一個電子發射源位置進行加工，并按照步驟(3)的過程進行納米裂縫成形；

(5)按照步驟(3)、(4)完成全部陣列的納米裂縫成形，不管實際的納米縫隙尺寸和形狀或位置如何，陣列中每個發射源的隧道電流特性(I-V特性)是一致的，從而保證大面積顯示的色彩均勻度。