[發明專利]一種導電聚合物一維納米結構陣列的制備方法

無效

• 申請號: 201110191360.0
• 申請日: 2011-07-09
• 公開（公告）號: CN102358610A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 楊亞杰;蔣亞東;徐建華
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;C08G61/12;C08G73/06
• 代理公司: 成都華典專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 楊保剛;徐豐

1.一種導電聚合物一維納米結構陣列的制備方法，首先通過旋涂方法獲得氧化劑薄膜，然后通過刻蝕的方法獲得氧化劑一維納米結構陣列，最后采用化學原位聚合的方法將獲得的氧化劑一維納米結構陣列暴露于導電聚合物單體氣氛中引發聚合，從而獲得導電聚合物一維納米結構陣列，其特征在于，具體包括以下步驟：

①將氧化劑FeCl₃溶于有機溶劑中，形成氧化劑良好分散的溶液，

②將氧化劑FeCl₃溶液采用旋涂的方法在基片上獲得均勻的氧化劑FeCl₃薄膜；

③將沉積于基片上的氧化劑薄膜采用刻蝕的方法獲得氧化劑一維納米結構陣列；

④將獲得的氧化劑一維納米結構陣列暴露于導電聚合物單體氣氛中引發聚合，得到導電聚合物一維納米結構陣列，所述導電聚合物單體為導電聚合物單體為3,4-乙烯二氧噻吩或吡咯；

⑤將獲得的導電聚合物一維納米結構陣列在溶劑中進行清洗及烘干以驅除多余的氧化劑。

2.根據權利要求1所述的導電聚合物一維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，步驟③中所述刻蝕方法為電子束刻蝕。

3.根據權利要求1所述的導電聚合物一維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，所述基片是處理過的石英、ITO玻璃或叉指電極。

4.根據權利要求1所述的導電聚合物一維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，步驟⑤中，清洗用溶劑為超純水或無水乙醇，烘干溫度為120~140℃。

5.根據權利要求1所述的導電聚合物一維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，通過控制電子束刻蝕的線寬能得到不同尺寸的導電聚合物一維納米結構陣列。

6.一種導電聚合物一維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

①將FeCl₃溶于氯仿中，FeCl₃的濃度為50mg/ml，形成分散良好的氧化劑溶液；

②采用滴管抽取5ml?FeCl₃氧化劑溶液緩慢滴加于至于旋涂機上的基片上，控制旋涂機的轉速為800轉/分鐘，形成均勻的氧化劑薄膜，然后將獲得的氧化劑薄膜在100℃溫度下烘干45分鐘；

③將沉積了氧化劑旋涂膜的基片放入電子束刻蝕系統進行刻蝕，刻蝕線寬為150納米，得到FeCl₃氧化劑一維納米結構陣列；

④將沉積了FeCl₃氧化劑一維納米結構陣列的基片放入3,4-乙烯二氧噻吩氣體氣氛中進行聚合，聚合時間為30分鐘，反應溫度為室溫，得到導電聚合物3,4-聚乙烯基二氧噻吩一維納米結構陣列；

⑤將獲得的3,4-聚乙烯二氧噻吩一維納米結構陣列在超純水中清洗并在125℃下烘干30分鐘，以去除多余的氧化劑。